Каковы четыре региона МОП-транзистора?

Четыре области N-канального МОП-транзистора

(1) Область переменного сопротивления (также называемая ненасыщенной областью)

Ucs" Ucs(th) (напряжение включения), uDs" UGs-Ucs(th), — это область слева от предварительно зажатой трассы на рисунке, где канал включен. Величина УД в этой области невелика, а сопротивление канала в основном контролируется только УГ. Когда uGs определен, ip и uDs находятся в линейной зависимости, область аппроксимируется набором прямых линий. В это время полевая трубка D, S между эквивалентом напряжения UGS

Управляется напряжением переменного сопротивления УГС.

(2) область постоянного тока (также известная как область насыщения, область усиления, активная область)

Ucs ≥ Ucs(h) и Ubs ≥ UcsUssth), для фигуры правой части пред-пинча с траектории, но еще не пробитой в области, в области, когда uGs должно быть, ib почти не бывает изменение с UD, является характеристикой постоянного тока. i управляется только UGs, тогда MOSFETD,S эквивалентен напряжению uGs управления источником тока. МОП-транзистор используется в схемах усиления, как правило, по работе МОП-транзистор D, S эквивалентен напряжению uGs источника управляющего тока. МОП-транзистор, используемый в схемах усиления, обычно работает в области, также известной как зона усиления.

(3) Область отсечения (также называемая областью отсечения)

Область отсечения (также известная как область отсечения), соответствующая ucs "Ues (th) для фигуры рядом с горизонтальной осью региона, весь канал перекрыт, это называется полным отсечкой, io = 0 , трубка не работает.

(4) расположение зоны пробоя

Область пробоя расположена в области в правой части рисунка. При увеличении UD PN-переход подвергается слишком сильному обратному напряжению и пробою, ip резко возрастает. Трубку следует эксплуатировать так, чтобы избежать работы в зоне пробоя. Кривую передаточной характеристики можно получить из кривой выходной характеристики. О методе, используемом в качестве графика для поиска. Например, на рисунке 3(а) для Ubs = 6В вертикальная линия, ее пересечение с различными кривыми, соответствующими значениям i, Us в координатах ib-Uss, соединены с кривой, то есть для получения кривой передаточной характеристики.

ПараметрыМОП-транзистор

Существует множество параметров МОП-транзистора, включая параметры постоянного тока, параметры переменного тока и предельные параметры, но при обычном использовании необходимо учитывать только следующие основные параметры: ток насыщенного стока-истока, напряжение отсечки IDSS Up, (трубки переходного типа и истощение -типа трубки с изолированным затвором, или напряжение включения UT (трубки с усиленным изолированным затвором), крутизна gm, напряжение пробоя источника утечки BUDS, максимальная рассеиваемая мощность PDSM, и максимальный ток сток-исток IDSM.

(1) Ток насыщенного стока

Ток насыщения стока IDSS — это ток стока в МОП-транзисторе с изолированным затвором переходного или истощающего типа, когда напряжение затвора UGS = 0.

(2) Напряжение ограничения

Напряжение отсечки UP — это напряжение затвора в МОП-транзисторе с изолированным затвором переходного или истощающего типа, который просто замыкается между стоком и истоком. Как показано на рис. 4-25 для N-канальной трубки UGS, можно понять кривую ID, чтобы увидеть значение IDSS и UP.

MOSFET четыре региона

(3) Напряжение включения

Напряжение включения UT — это напряжение затвора в МОП-транзисторе с усиленным изолированным затвором, который делает исток между стоками просто проводящим.

(4) Крутизна

Крутизна gm представляет собой способность управления напряжением затвор-исток UGS по току стока ID, т.е. отношение изменения тока стока ID к изменению напряжения исток-затвор UGS. 9m — важный параметр, определяющий усиливающую способностьМОП-транзистор.

(5) Напряжение пробоя источника стока

Напряжение пробоя истока стока BUDS относится к напряжению истока затвора UGS. При нормальной работе МОП-транзистора допускается максимальное напряжение истока стока. Это предельный параметр, добавленное к рабочему напряжению MOSFET должно быть меньше BUDS.

(6) Максимальная рассеиваемая мощность

Максимальная рассеиваемая мощность PDSM также является предельным параметром, относится кМОП-транзисторПроизводительность не ухудшается при утечке максимально допустимой рассеиваемой мощности источника. При использовании MOSFET практическое энергопотребление должно быть меньше, чем у PDSM, и оставлять определенный запас.

(7) Максимальный ток стока

Максимальный ток утечки IDSM — еще один предельный параметр, относящийся к нормальной работе МОП-транзистора. Источник утечки максимального тока, разрешенного для прохождения через рабочий ток МОП-транзистора, не должен превышать IDSM.

Принцип работы МОП-транзистора

Принцип работы MOSFET (MOSFET N-канального улучшения) заключается в использовании VGS для контроля количества «индуктивного заряда», чтобы изменить состояние проводящего канала, образованного этим «индуктивным зарядом», а затем для достижения цели. контроля тока стока. Целью является контроль тока стока. При производстве трубок в процессе создания большого количества положительных ионов в изолирующем слое, поэтому на другой стороне границы раздела может быть индуцировано больше отрицательных зарядов, и эти отрицательные заряды могут быть индуцированы.

Когда напряжение на затворе изменяется, количество заряда, индуцированного в канале, также изменяется, ширина проводящего канала также изменяется, и, таким образом, ток стока ID изменяется вместе с напряжением на затворе.

Роль МОП-транзистора

I. МОП-транзистор можно применять для усиления. Из-за высокого входного сопротивления усилителя MOSFET конденсатор связи может быть меньшей емкости без использования электролитических конденсаторов.

Во-вторых, высокий входной импеданс МОП-транзистора очень удобен для преобразования импеданса. Обычно используется во входном каскаде многокаскадного усилителя для преобразования импеданса.

MOSFET можно использовать в качестве переменного резистора.

В-четвертых, MOSFET можно легко использовать в качестве источника постоянного тока.

В-пятых, MOSFET можно использовать в качестве электронного переключателя.