Электронные компоненты имеют электрические параметры, и при выборе типа важно оставить достаточный запас для электронных компонентов, чтобы обеспечить стабильность и долгосрочную работу электронных компонентов. Далее кратко представим метод выбора триода и МОП-транзистора.
Триод — это устройство с управлением потоком, MOSFET — это устройство с управлением по напряжению, между ними есть сходство, при выборе необходимо учитывать выдерживаемое напряжение, ток и другие параметры.
1, в зависимости от выбора максимального выдерживаемого напряжения
Коллектор триода С и эмиттер Е выдерживают максимальное напряжение между параметром V (БР) СЕО, напряжение между СЕ во время работы не должно превышать заданное значение, в противном случае Триод будет безвозвратно поврежден.
Максимальное напряжение также существует между стоком D и истоком S полевого МОП-транзистора во время использования, а напряжение на DS во время работы не должно превышать заданное значение. Вообще говоря, значение выдерживаемого напряженияМОП-транзисторнамного выше, чем у Триода.
2, максимальная способность перегрузки по току
Триод имеет параметр ICM, т. е. способность перегрузки по току коллектора, а способность полевого МОП-транзистора к перегрузке по току выражается через идентификатор. При текущей работе ток, протекающий через триод/МОП-транзистор, не может превышать заданное значение, иначе устройство сгорит.
Учитывая стабильность работы, обычно допускается запас в 30-50% и более.
3、Рабочая температура
Чипы коммерческого класса: общий диапазон от 0 до +70 ℃;
Чипы промышленного класса: общий диапазон от -40 до +85 ℃;
Чипы военного класса: общий диапазон от -55 ℃ до +150 ℃;
При выборе MOSFET выберите соответствующий чип в соответствии со случаем использования продукта.
4, в зависимости от выбора частоты переключения
И Триод, иМОП-транзисторимеют параметры частоты переключения/времени срабатывания. При использовании в высокочастотных цепях время срабатывания переключающей трубки должно учитываться в соответствии с условиями использования.
5、Другие условия отбора
Например, параметр сопротивления открытого состояния MOSFET, напряжение включения VTHМОП-транзистор, и так далее.
При выборе MOSFET вы можете объединить вышеуказанные пункты для выбора.
Время публикации: 27 апреля 2024 г.
