Это упакованныйМОП-транзисторпироэлектрический инфракрасный датчик.Прямоугольная рамка представляет собой сенсорное окно.Вывод G является клеммой заземления, вывод D — внутренним стоком МОП-транзистора, а вывод S — внутренним истоком МОП-транзистора.В схеме G подключен к земле, D подключен к плюсовому источнику питания, инфракрасные сигналы поступают из окна, а электрические сигналы выводятся из S.
Судебные ворота G
Драйвер MOS в основном играет роль формирования сигнала и улучшения управления: если форма сигнала GМОП-транзисторнедостаточно крутой, это приведет к большим потерям мощности на этапе переключения.Его побочным эффектом является снижение эффективности преобразования схемы.МОП-транзистор будет сильно нагреваться и легко повредиться от жары.Между MOSFETGS существует определенная емкость., если мощность сигнала G недостаточна, это серьезно повлияет на время скачка сигнала.
Замкните накоротко полюс GS, выберите уровень R×1 мультиметра, подключите черный измерительный провод к полюсу S, а красный измерительный провод к полюсу D.Сопротивление должно составлять от нескольких Ом до более десяти Ом.Если обнаруживается, что сопротивление определенного контакта и двух его контактов бесконечно, и оно все еще бесконечно после замены измерительных проводов, подтверждается, что этот контакт является полюсом G, поскольку он изолирован от двух других контактов.
Определите источник S и сток D.
Установите мультиметр на R×1k и измерьте сопротивление между тремя контактами соответственно.Используйте метод замены измерительного провода, чтобы дважды измерить сопротивление.Сопротивление с более низким значением сопротивления (обычно от нескольких тысяч до более десяти тысяч Ом) является прямым сопротивлением.В это время черный измерительный провод является полюсом S, а красный измерительный провод подключен к полюсу D.Из-за различных условий испытаний измеренное значение RDS(on) выше типичного значения, указанного в руководстве.
Транзистор имеет канал N-типа, поэтому его называют N-канальным.МОП-транзистор, илиНМОП.Также существует P-канальный МОП-транзистор (PMOS), который представляет собой PMOSFET, состоящий из слегка легированного BACKGATE N-типа, а также истока и стока P-типа.
Независимо от того, какой МОП-транзистор N-типа или P-типа, его принцип работы по существу один и тот же.МОП-транзистор контролирует ток на стоке выходной клеммы с помощью напряжения, приложенного к затвору входной клеммы.MOSFET — это устройство, управляемое напряжением.Он управляет характеристиками устройства посредством напряжения, подаваемого на затвор.Это не вызывает эффекта накопления заряда, вызванного током базы, когда для переключения используется транзистор.Поэтому при переключении приложенийМОП-транзисторыдолжны переключаться быстрее, чем транзисторы.
Полевой транзистор также получил свое название из-за того, что его вход (называемый затвором) влияет на ток, протекающий через транзистор, проецируя электрическое поле на изолирующий слой.Фактически, ток через этот изолятор не течет, поэтому ток затвора полевого транзистора очень мал.
В наиболее распространенных полевых транзисторах в качестве изолятора под затвором используется тонкий слой диоксида кремния.
Этот тип транзистора называется металлооксидно-полупроводниковым (МОП) транзистором или металлооксидно-полупроводниковым полевым транзистором (MOSFET).Поскольку МОП-транзисторы меньше по размеру и более энергоэффективны, они заменили биполярные транзисторы во многих приложениях.
Время публикации: 10 ноября 2023 г.
