Это упакованныйМОП-транзисторпироэлектрический инфракрасный датчик. Прямоугольная рамка представляет собой сенсорное окно. Вывод G является клеммой заземления, вывод D — внутренним стоком МОП-транзистора, а вывод S — внутренним истоком МОП-транзистора. В схеме G подключен к земле, D подключен к плюсовому источнику питания, инфракрасные сигналы поступают из окна, а электрические сигналы выводятся из S.
Судебные ворота G
Драйвер MOS в основном играет роль формирования сигнала и улучшения управления: если форма сигнала GМОП-транзисторнедостаточно крутой, это приведет к большим потерям мощности на этапе переключения. Его побочным эффектом является снижение эффективности преобразования схемы. МОП-транзистор будет сильно нагреваться и легко повредиться от жары. Между MOSFETGS существует определенная емкость. , если мощность сигнала G недостаточна, это серьезно повлияет на время скачка сигнала.
Закоротите полюс GS, выберите уровень R×1 мультиметра, подключите черный измерительный провод к полюсу S, а красный измерительный провод к полюсу D. Сопротивление должно составлять от нескольких Ом до более десяти Ом. Если обнаруживается, что сопротивление определенного контакта и двух его контактов бесконечно и остается бесконечным после замены измерительных проводов, подтверждается, что этот контакт является полюсом G, поскольку он изолирован от двух других контактов.
Определите источник S и сток D.
Установите мультиметр на R×1k и измерьте сопротивление между тремя контактами соответственно. Используйте метод замены измерительного провода, чтобы дважды измерить сопротивление. Сопротивление с более низким значением сопротивления (обычно от нескольких тысяч до более десяти тысяч Ом) является прямым сопротивлением. В это время черный измерительный провод является полюсом S, а красный измерительный провод подключен к полюсу D. Из-за различных условий испытаний измеренное значение RDS(on) выше типичного значения, указанного в руководстве.
Транзистор имеет канал N-типа, поэтому его называют N-канальным.МОП-транзистор, илиНМОП. Также существует P-канальный МОП-транзистор (PMOS), который представляет собой PMOSFET, состоящий из слегка легированного BACKGATE N-типа, а также истока и стока P-типа.
Независимо от того, какой МОП-транзистор N-типа или P-типа, его принцип работы по существу один и тот же. МОП-транзистор управляет током на стоке выходной клеммы с помощью напряжения, приложенного к затвору входной клеммы. MOSFET — это устройство, управляемое напряжением. Он управляет характеристиками устройства посредством напряжения, подаваемого на затвор. Это не вызывает эффекта накопления заряда, вызванного током базы, когда для переключения используется транзистор. Поэтому при переключении приложенийМОП-транзисторыдолжны переключаться быстрее, чем транзисторы.
Полевой транзистор также получил свое название из-за того, что его вход (называемый затвором) влияет на ток, протекающий через транзистор, проецируя электрическое поле на изолирующий слой. Фактически, ток через этот изолятор не течет, поэтому ток затвора полевого транзистора очень мал.
В наиболее распространенных полевых транзисторах в качестве изолятора под затвором используется тонкий слой диоксида кремния.
Этот тип транзистора называется металлооксидно-полупроводниковым (МОП) транзистором или металлооксидно-полупроводниковым полевым транзистором (MOSFET). Поскольку МОП-транзисторы меньше по размеру и более энергоэффективны, они заменили биполярные транзисторы во многих приложениях.
Время публикации: 10 ноября 2023 г.
