В цепях электропитания или в цепях электропитания в области двигательной установки неизбежно используютсяМОП-транзисторы, которые бывают разных типов и имеют множество функций. Для переключения источников питания или силовых установок естественно использовать функцию переключения.
Независимо от типа N или типа PМОП-транзистор, принцип по существу тот же, MOSFET добавляется к затвору соединительного конца тока для регулирования выходной стороны тока стока, MOSFET - это устройство, управляемое напряжением, оно основано на токе, добавляемом к затвору на манипулированию характеристиками устройства, не склонен к переключению, как транзистор, из-за тока базы, вызванного эффектом накопления положительного заряда, и поэтому в приложении переключения скорость переключения MOSFET должна быть выше, чем у транзистора. Скорость переключения должна быть выше, чем у триода.
МОП-транзисторпричины нагрева при малых токах
1, принцип проблемы заключается в том, чтобы МОП-транзистор работал в линейном режиме, а не в режиме переключения. Это также является причиной нагрева МОП-транзистора. Если переключение N-MOS, рабочее напряжение G-уровня, чем импульсный источник питания на несколько В, для того, чтобы полностью включаться и выключаться, P-MOS работает наоборот. Не полностью включено, и потери слишком велики, что приводит к рассеиванию выходной мощности, характеристическое сопротивление постоянного тока эквивалентной цепи больше, потери увеличиваются, поэтому U * I также расширяется, истощение представляет собой тепло. Это также наиболее распространенная схема неправильного проектирования программы управления.
2, частота слишком высока, в основном иногда слишком сильное стремление к идеальному объему, что приводит к повышению частоты, MOSFET из-за расширения потребления, поэтому нагрев также увеличивается.
3, не выполнил достаточную программу проектирования теплоизоляции, ток слишком высок, значение тока допуска MOSFET, как правило, должно поддерживаться хорошее теплоотключение. Таким образом, ID ниже, чем более высокий ток, он также может нагреваться более серьезно, должно быть достаточно, чтобы помочь радиатору.
4. Неправильный выбор модели MOSFET, неправильная выходная мощность, сопротивление MOSFET не учитывается, что приводит к расширению характеристического импеданса переключения.
Нагрев малых токов MOSFET более серьезен, как решить?
1. Получите программу проектирования защиты от нагрева MOSFET, помогите определенному количеству радиаторов.
2. Наклейте термозащитный клей.
Время публикации: 11 июля 2024 г.
