МОП-транзисторы изолируют МОП-транзисторы в интегральных схемах. МОП-транзисторы, как одно из самых основных устройств вполупроводник поле, широко используются в схемах на уровне платы, а также в конструкции ИС. Сток и источникМОП-транзисторы могут быть взаимозаменяемыми и формируются в задней затворе P-типа с областью N-типа. В общем, эти два источника взаимозаменяемы, оба образуют область N-типа взадняя дверь P-типа. В целом эти две зоны одинаковы, и даже если эти две секции переключить, на работоспособность устройства это не повлияет. Поэтому устройство считается симметричным.
Принцип:
МОП-транзистор использует VGS для управления количеством «индуцированного заряда», чтобы изменить состояние проводящего канала, образованного этими «индуцированными зарядами», и контролировать ток стока. При изготовлении МОП-транзисторов большое количество положительных ионов появляется в изолирующем слое посредством специальных процессов, так что на другой стороне интерфейса можно обнаружить больше отрицательных зарядов, а N-область примесей с высокой проницаемостью соединяется эти отрицательные заряды, и формируется проводящий канал, и генерируется относительно большой ток стока ID, даже если VGS равен 0. Если напряжение затвора изменяется, количество индуцированного заряда в канале также изменяется, и ширина проводящего канала изменяется в той же степени. Если напряжение на затворе изменится, изменится и количество индуцированного заряда в канале, а также изменится ширина проводящего канала, поэтому ID тока стока изменится вместе с напряжением на затворе.
Роль:
1. Его можно применить к схеме усилителя. Из-за высокого входного сопротивления усилителя MOSFET емкость связи может быть меньше и нельзя использовать электролитические конденсаторы.
Высокое входное сопротивление подходит для преобразования импеданса. Его часто используют для преобразования импеданса во входном каскаде многокаскадных усилителей.
3. Его можно использовать как переменный резистор.
4, может использоваться в качестве электронного переключателя.
МОП-транзисторы сейчас используются в широком спектре приложений, включая высокочастотные головки в телевизорах и импульсных источниках питания. В настоящее время обычные биполярные транзисторы и МОП соединяются вместе, образуя IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), который широко используется в областях с высокой мощностью, а интегральные схемы МОП имеют характеристику низкого энергопотребления, и теперь процессоры широко используются в МОП-схемы.
Время публикации: 19 июля 2024 г.
