Схема удержания MOSFET, включающая резисторы R1-R6, электролитические конденсаторы C1-C3, конденсатор C4, PNP-триод VD1, диоды D1-D2, промежуточное реле K1, компаратор напряжения, интегральную микросхему с двойной разверткой NE556 и MOSFET Q1, при этом вывод № 6 интегральной микросхемы с двойной базой времени NE556 служит входом сигнала, а один конец резистора R1, подключенный одновременно к выводу 6 интегральной микросхемы с двойной базой времени NE556, используется в качестве входного сигнала, один конец резистора R1 подключен к выводу 14 интегральной микросхемы с двойной базой NE556, один конец резистора R2, один конец резистора R4, эмиттер PNP-транзистора VD1, сток MOSFET Q1 и DC источник питания, а другой конец резистора R1 подключен к выводу 1 интегральной микросхемы с двойной базой NE556, контакту 2 интегральной микросхемы с двойной базой NE556, положительной электролитической емкости конденсатора C1 и промежуточному реле. К1 нормально закрытый контакт К1-1, другой конец промежуточного реле К1 нормально закрытый контакт К1-1, отрицательный полюс электролитического конденсатора С1 и один конец конденсатора С3 подключены к земле источника питания, другой конец конденсатора С3 подключен к выводу 3 интегральной микросхемы с двойной разверткой NE556, вывод 4 интегральной микросхемы с двойной разверткой NE556 подключен к положительному полюсу электролитического конденсатора C2 и другому концу резистора R2 одновременно, и отрицательный полюс электролитического конденсатора C2 подключен к земле источника питания, а отрицательный полюс электролитического конденсатора C2 подключен к земле источника питания. Отрицательный полюс C2 подключен к земле источника питания, вывод 5 интегральной микросхемы с двойной разверткой NE556 подключен к одному концу резистора R3, другой конец резистора R3 подключен к входу положительной фазы компаратора напряжения. Вход отрицательной фазы компаратора напряжения подключен к положительному полюсу диода D1 и другому концу резистора R4 одновременно, отрицательный полюс диода D1 подключен к земле источника питания, а выход компаратор напряжения подключен к концу резистора R5, другой конец резистора R5 подключен к триплексу PNP. Выход компаратора напряжения подключен к одному концу резистора R5, другой конец резистора R5 подключен к базе PNP-транзистора VD1, коллектор PNP-транзистора VD1 подключен к положительному полюсу диода. D2, отрицательный полюс диода D2 подключен к концу резистора R6, концу конденсатора C4 и затвору полевого МОП-транзистора одновременно, другой конец резистора R6, другой конец Конденсатор C4 и другой конец промежуточного реле K1 подключены к земле источника питания, а другой конец промежуточного реле K1 подключен к источнику источника тока.МОП-транзистор.
Схема удержания MOSFET, когда A обеспечивает низкий сигнал запуска, в это время устанавливается интегральная микросхема NE556 с двойной базой времени, интегральная микросхема NE556 с двойной базой времени, вывод 5, высокий уровень, высокий уровень на вход положительной фазы компаратора напряжения, отрицательный фазовый вход компаратора напряжения резистором R4 и диодом D1 для обеспечения опорного напряжения, в это время на выходе компаратора напряжения высокий уровень, высокий уровень, чтобы триод VD1 проводил, ток течет из коллектора триода VD1 заряжает конденсатор С4 через диод D2, и в то же время МОП-транзистор Q1 проводит ток, в это время происходит поглощение обмотки промежуточного реле К1, а нормально замкнутый контакт К1-1 промежуточного реле К1 размыкается, и после промежуточного реле К1 реле К1, нормально закрытый контакт К 1-1 отключен, источник питания постоянного тока на 1 и 2 ножки интегральной микросхемы двойной базы NE556 обеспечивает сохранение напряжения питания до тех пор, пока напряжение на контактах 1 и 2 двухтактного реле не будет сохраняться. Интегрированная микросхема NE556 с двойной базой времени заряжается до 2/3 напряжения питания, интегральная микросхема NE556 с двойной базой времени автоматически сбрасывается, а вывод 5 интегральной микросхемы NE556 с двойной базой времени автоматически восстанавливается до низкого уровня, и последующие цепи не работают, при этом в это время конденсатор С4 разряжается для поддержания проводимости МОП-транзистора Q1 до окончания разрядки емкости С4 и отпускания катушки промежуточного реле К1, нормально замкнутого контакта промежуточного реле К1 К11, при этом время через закрытое промежуточное реле K1, нормально закрытый контакт K 1-1 будет интегрированной микросхемой NE556 с двойной базой времени 1 фут и 2 фута, чтобы напряжение выключалось, в следующий раз на интегрированной микросхеме NE556 с двойной базой времени, контакт 6, чтобы обеспечить низкий уровень триггерный сигнал для подготовки интегрированного чипа NE556 с двойной разверткой.
Структура схемы этого приложения проста и нова: когда интегральная микросхема с двойной разверткой NE556, контакты 1 и 2, заряжается до 2/3 напряжения питания, интегральная микросхема с двойной разверткой NE556 может автоматически сбрасываться, интегрированная микросхема с двойной разверткой. Контакт 5 NE556 автоматически возвращается на низкий уровень, чтобы последующие цепи не работали, чтобы автоматически прекратить зарядку конденсатора C4, и после остановки зарядки конденсатора C4, поддерживаемой проводящим MOSFET Q1, это приложение может постоянно поддерживатьМОП-транзисторQ1 проводящий в течение 3 секунд.
В его состав входят резисторы R1-R6, электролитические конденсаторы С1-С3, конденсатор С4, PNP-транзистор VD1, диоды D1-D2, промежуточное реле К1, компаратор напряжения, интегральная микросхема с двойной разверткой NE556 и MOSFET Q1, вывод 6 встроенной двойной развертки. микросхема NE556 используется в качестве входного сигнала, а один конец резистора R1 подключен к выводу 14 интегральной микросхемы с двойной разверткой NE556, резистору R2, выводу 14 интегральной микросхемы с двойной разверткой NE556 и выводу 14 интегральной микросхемы с двойной разверткой. базовая интегральная микросхема NE556, а резистор R2 подключен к выводу 14 интегральной микросхемы с двойной базой времени NE556. вывод 14 интегральной микросхемы с двойной базой NE556, один конец резистора R2, один конец резистора R4, PNP-транзистор
Какой принцип работы?
Когда A обеспечивает низкий сигнал триггера, тогда устанавливается интегральная микросхема NE556 с двойной базой, вывод 5 интегральной микросхемы NE556 с двойной базой выводит высокий уровень, высокий уровень на вход положительной фазы компаратора напряжения, вход отрицательной фазы компаратор напряжения резистором R4 и диодом D1 для обеспечения опорного напряжения, на этот раз на выходе компаратора напряжения высокий уровень, высокий уровень проводимости транзистора VD1, ток течет от коллектора транзистора VD1 через диод D2 к конденсатор С4 заряжается, в это время подсасывается катушка промежуточного реле К1, подсасывается катушка промежуточного реле К1. Ток, текущий с коллектора транзистора VD1, заряжается конденсатором С4 через диод D2, и одновременноМОП-транзисторQ1 проводит ток, в это время катушка промежуточного реле К1 подсасывается, и нормально закрытый контакт К 1-1 промежуточного реле К1 размыкается, и после отключения нормально замкнутого контакта промежуточного реле К1 К 1-1 подается питание. Напряжение питания, подаваемое источником постоянного тока на 1 и 2 ножки интегральной микросхемы с двойной разверткой NE556, сохраняется до тех пор, пока напряжение на контактах 1 и 2 интегральной микросхемы с двойной разверткой NE556 не зарядится до 2/3 напряжения. напряжения питания, интегральная микросхема с двойной базой NE556 автоматически сбрасывается, а вывод 5 интегральной микросхемы с двойной базой NE556 автоматически восстанавливается до низкого уровня, а последующие схемы не работают, и в это время Конденсатор С4 разряжается для поддержания проводимости МОП-транзистора Q1 до окончания разряда конденсатора С4, при этом катушка промежуточного реле К1 освобождается, а нормально замкнутый контакт К1-1 промежуточного реле К1 размыкается. Реле K1, нормально закрытый контакт K 1-1 закрыт, на этот раз через закрытое промежуточное реле K1, нормально закрытый контакт K 1-1 будет двойным базовым интегрированным чипом NE556 1 фут и 2 фута на отпуске напряжения, в следующий раз, чтобы вывод 6 интегрированного чипа NE556 с двойной базой, чтобы обеспечить сигнал триггера для установки низкого уровня, чтобы подготовиться к набору интегрированного чипа NE556 с двойной базой.
Время публикации: 19 апреля 2024 г.
