Антиреверсивная схема MOSFET — это защитная мера, используемая для предотвращения повреждения цепи нагрузки из-за обратной полярности питания. При правильной полярности источника питания схема работает нормально; при изменении полярности источника питания цепь автоматически отключается, защищая таким образом нагрузку от повреждения. Ниже приводится подробный анализ антиреверсивной схемы MOSFET:
Во-первых, основной принцип антиреверсивной схемы MOSFET.
Антиреверсивная схема MOSFET, использующая характеристики переключения MOSFET, путем управления напряжением затвора (G) для включения и выключения схемы. Если полярность источника питания правильная, напряжение на затворе переводит МОП-транзистор в состояние проводимости, ток может протекать нормально; когда полярность источника питания меняется, напряжение на затворе не может обеспечить проводимость МОП-транзистора, тем самым разрывая цепь.
Во-вторых, конкретная реализация антиреверсивной схемы MOSFET.
1. N-канальная антиреверсивная схема MOSFET.
N-канальные МОП-транзисторы обычно используются для реализации схем антиреверса. В схеме исток (S) N-канального МОП-транзистора подключен к отрицательной клемме нагрузки, сток (D) подключен к положительной клемме источника питания, а затвор (G) подключен к отрицательный вывод источника питания через резистор или управляется схемой управления.
Прямое подключение: положительная клемма источника питания подключена к D, а отрицательная клемма подключена к S. В это время резистор обеспечивает напряжение истока затвора (VGS) для MOSFET, и когда VGS превышает пороговое значение напряжение (Vth) МОП-транзистора, МОП-транзистор проводит ток, и ток течет от положительной клеммы источника питания к нагрузке через МОП-транзистор.
В обратном порядке: положительная клемма источника питания подключена к S, а отрицательная клемма подключена к D. В это время МОП-транзистор находится в состоянии отсечки, и схема размыкается, чтобы защитить нагрузку от повреждения, поскольку напряжение на затворе не способен сформировать достаточный VGS для обеспечения проводимости MOSFET (VGS может быть меньше 0 или намного меньше Vth).
2. Роль вспомогательных компонентов
Резистор: используется для обеспечения напряжения источника затвора для MOSFET и ограничения тока затвора для предотвращения повреждения перегрузки по току затвора.
Регулятор напряжения: дополнительный компонент, используемый для предотвращения слишком высокого напряжения истока затвора и выхода из строя МОП-транзистора.
Паразитный диод: Паразитный диод (корпусный диод) существует внутри МОП-транзистора, но его влияние обычно игнорируется или избегается при проектировании схемы, чтобы избежать его вредного воздействия в антиобратных схемах.
В-третьих, преимущества антиреверсивной схемы MOSFET.
Низкие потери: сопротивление МОП-транзистора в открытом состоянии невелико, напряжение открытого сопротивления снижается, поэтому потери в цепи малы.
Высокая надежность: функция антиреверса может быть реализована с помощью простой схемы, а сам МОП-транзистор имеет высокую степень надежности.
Гибкость: можно выбрать различные модели и конструкции схем МОП-транзисторов для удовлетворения различных требований применения.
Меры предосторожности
При разработке антиреверсивной схемы MOSFET необходимо убедиться, что выбор MOSFET соответствует требованиям применения, включая напряжение, ток, скорость переключения и другие параметры.
Необходимо учитывать влияние других компонентов схемы, таких как паразитная емкость, паразитная индуктивность и т. д., чтобы избежать негативного влияния на характеристики схемы.
В практических приложениях также необходимы адекватные испытания и проверки для обеспечения стабильности и надежности схемы.
Подводя итог, можно сказать, что антиреверсивная схема MOSFET представляет собой простую, надежную схему защиты источника питания с низкими потерями, которая широко используется в различных приложениях, требующих предотвращения обратной полярности питания.
Время публикации: 13 сентября 2024 г.
