Я не знаю, нашли ли вы проблему, MOSFET действует как импульсное оборудование электропитания во время работы, иногда серьезное нагревание, хотите решить проблему нагреваМОП-транзистор, сначала нам нужно определить причины, поэтому нам нужно провести тестирование, чтобы выяснить, в чем проблема. Благодаря открытиюМОП-нагрев Проблема, перейдите к выбору правильного теста ключевой точки, не согласуется с анализом, который является ключом к решению проблемы.
В тесте блока питания, в дополнение к измерению цепи управления других устройств напряжения на выводе как тяжелого, а затем осциллографом для измерения соответствующей формы волны напряжения. Когда мы собираемся определить, не работает ли импульсный источник питания должным образом, место измерения источника питания может отражать ненормальное рабочее состояние, выходной сигнал ШИМ-контроллера не является нормальным, рабочий цикл и амплитуда импульса не являются нормальными, переключающий МОП-транзистор является ненормальным. не работает должным образом, включая вторичную и первичную стороны трансформатора, а выход обратной связи не является разумным.
Очень важно, является ли контрольная точка разумным выбором, правильный выбор может обеспечить безопасные и надежные измерения, а также позволит нам быстро устранить неполадки, чтобы выяснить причину.
Обычно причиной нагрева MOSFET является:
1: Недостаточное напряжение привода G-полюса.
2: Id ток через сток и исток слишком велик.
3: Частота движения слишком высока.
Таким образом, основное внимание при проверке МОП-транзистора уделяется точной проверке его работы, что и является корнем проблемы.
Следует отметить, что когда нам нужно использовать тест осциллографом, мы должны обратить особое внимание на постепенное увеличение входного напряжения. Если мы обнаружим, что пиковое напряжение или ток выходят за пределы нашего расчетного диапазона, на этот раз мы должны обратить внимание на нагрев полевого МОП-транзистора. В случае возникновения аномалии следует немедленно отключить источник питания, выявив причину неисправности, чтобы предотвратить повреждение полевого МОП-транзистора.
Время публикации: 21 июля 2024 г.
