В программе проектирования силового выключателя и других систем электропитания разработчики программ будут уделять больше внимания ряду основных параметровМОП-транзистор, например, двухпозиционный резистор, большее рабочее напряжение, больший поток мощности. Хотя этот элементкритический, принимая во внимание неправильное место, схема питания не сможет работать должным образом, но на самом деле это только первый шаг,МОП-транзисторы Считается, что собственные паразитные параметры представляют собой важную вещь, которая может поставить под угрозу цепь питания.
Немедленное управление МОП-транзисторами с помощью микросхем питания.
Хорошая схема драйвера MOSFET имеет следующие положения:
(1) В момент включения переключателя схема драйвера должна быть способна выдавать очень большой ток, чтобы межполюсное рабочее напряжение затвор-исток МОП-транзистора быстро возрастало до необходимого значения, чтобы гарантировать возможность поворота переключателя. быстро включается и на нарастающем фронте не будет высокочастотных колебаний.
(2) период включения и выключения питания, схема привода может гарантировать, что межполюсное рабочее напряжение источника затвора MOSFET поддерживается в течение длительного времени и обеспечивает эффективную проводимость.
(3) Замкните момент цепи управления, может обеспечить канал с низким импедансом для рабочего напряжения емкости источника затвора MOSFET между быстрым стоком, чтобы обеспечить быстрое выключение переключателя.
(4) Простая и надежная конструкция приводных цепей с низким износом.
(5) В зависимости от конкретной ситуации обеспечить защиту.
В блоке питания модуля управления наиболее распространенным является микросхема источника питания, непосредственно управляющая МОП-транзистором. Применение, следует обратить внимание на больший привод, наибольшее значение потока мощности, распределительную емкость MOSFET 2 основных параметра. Возможности привода силовой микросхемы, размер распределительной емкости MOS, значение сопротивления резистора привода поставят под угрозу скорость переключения мощности MOSFET. Если выбор распределительной емкости MOSFET относительно велик, возможностей внутреннего привода ИС источника питания недостаточно, он должен быть в цепи привода, чтобы улучшить возможности привода, часто применяйте схему источника питания с тотемным полюсом, чтобы улучшить возможности привода ИС источника питания. .
Время публикации: 25 июля 2024 г.
