Оценивать NMOSFET и PMOSFET можно несколькими способами:
I. По направлению тока
NМОП-транзистор:Когда ток течет от истока (S) к стоку (D), МОП-транзистор является NMOSFET. В NMOSFET исток и сток представляют собой полупроводники n-типа, а затвор — полупроводник p-типа. Когда напряжение на затворе положительно по отношению к истоку, на поверхности полупроводника образуется проводящий канал n-типа, позволяющий электронам течь от истока к стоку.
PМОП-транзистор:МОП-транзистор является PMOSFET, когда ток течет от стока (D) к истоку (S). В PMOSFET и исток, и сток представляют собой полупроводники p-типа, а затвор представляет собой полупроводник n-типа. Когда напряжение на затворе отрицательно по отношению к истоку, на поверхности полупроводника формируется проводящий канал p-типа, позволяющий дыркам течь от истока к стоку (заметим, что в традиционном описании мы по-прежнему говорим, что ток идет от D к S, но на самом деле это направление движения дырок).
*** Переведено с помощью www.DeepL.com/Translator (бесплатная версия) ***
II. По направлению паразитного диода
NМОП-транзистор:Когда паразитный диод направлен от истока (S) к стоку (D), это NMOSFET. Паразитный диод — это внутренняя структура внутри МОП-транзистора, и его направление может помочь нам определить тип МОП-транзистора.
PМОП-транзистор:Паразитный диод является PMOSFET, когда он направлен от стока (D) к истоку (S).
III. По зависимости напряжения управляющего электрода от электропроводности
NМОП-транзистор:NMOSFET проводит ток, когда напряжение затвора положительно по отношению к напряжению истока. Это связано с тем, что положительное напряжение на затворе создает проводящие каналы n-типа на поверхности полупроводника, позволяя электронам течь.
PМОП-транзистор:PMOSFET проводит ток, когда напряжение затвора отрицательно по отношению к напряжению истока. Отрицательное напряжение на затворе создает проводящий канал p-типа на поверхности полупроводника, позволяя дыркам течь (или току течь от D к S).
IV. Другие вспомогательные методы суждения
Посмотреть маркировку устройства:На некоторых MOSFET-транзисторах может быть маркировка или номер модели, обозначающий их тип, и, сверившись с соответствующей таблицей данных, вы можете подтвердить, является ли это NMOSFET или PMOSFET.
Использование испытательных инструментов:Измерение сопротивления выводов МОП-транзистора или его проводимости при различных напряжениях с помощью испытательных приборов, таких как мультиметры, также может помочь в определении его типа.
Таким образом, оценка NMOSFET и PMOSFET может осуществляться в основном по направлению тока, направлению паразитного диода, взаимосвязи между напряжением управляющего электрода и проводимостью, а также проверке маркировки устройства и использованию испытательных приборов. В практических приложениях соответствующий метод оценки может быть выбран в соответствии с конкретной ситуацией.
Время публикации: 29 сентября 2024 г.
