В настоящее время, с бурным развитием науки и техники, полупроводники используются во все большем количестве отраслей промышленности, в которыхМОП-транзистор также считается очень распространенным полупроводниковым устройством, следующим шагом будет понимание того, в чем разница между характеристиками биполярного силового кристаллического транзистора и выходного мощного полевого МОП-транзистора.
1, способ работы
MOSFET - это работа, необходимая для повышения рабочего напряжения, принципиальные схемы объясняют относительно просто, повышают мощность небольшого размера; силовой кристаллический транзистор представляет собой поток мощности для продвижения конструкции программы, более сложный, для продвижения спецификации по выбору трудно продвигать спецификацию, это поставит под угрозу общую скорость переключения источника питания.
2, общая скорость переключения источника питания
МОП-транзистор, на который влияет температура, невелик, выходная мощность переключения источника питания может обеспечить частоту более 150 кГц; Мощный кристаллический транзистор имеет очень мало времени хранения свободного заряда, ограничивает скорость переключения источника питания, но его выходная мощность обычно не превышает 50 кГц.
3. Безопасная рабочая зона.
Силовой МОП-транзистор не имеет вторичной основы, а безопасная рабочая зона широка; Силовой кристаллический транзистор имеет вторичную базовую ситуацию, которая ограничивает безопасную рабочую зону.
4. Требования к рабочему напряжению электрического проводника.
ВластьМОП-транзистор относится к типу высокого напряжения, рабочее напряжение проводимости выше, имеется положительный температурный коэффициент; силовой кристаллический транзистор, независимо от того, сколько денег устойчиво к рабочему напряжению, рабочее напряжение электрического проводника ниже и имеет отрицательный температурный коэффициент.
5, максимальный поток мощности
Силовой МОП-транзистор в схеме импульсного источника питания Схема источника питания Схема источника питания в качестве переключателя источника питания, при работе и стабильной работе посередине, максимальный поток мощности ниже; И силовой кристаллический транзистор в работе и стабильная работа посередине, максимальный поток мощности выше.
6. Стоимость продукта
Стоимость силового МОП-транзистора немного выше; Стоимость силового кристаллического триода несколько ниже.
7. Эффект проникновения
Силовой МОП-транзистор не имеет эффекта проникновения; Мощный кристаллический транзистор обладает эффектом проникновения.
8, потеря переключения
Потери при переключении MOSFET невелики; Потери при переключении силового кристаллического транзистора относительно велики.
Кроме того, в подавляющем большинстве силовых MOSFET интегрирован амортизирующий диод, в то время как в биполярных силовых кристаллических транзисторах почти нет встроенного амортизирующего диода. Амортизирующий диод MOSFET также может быть универсальным магнитом для переключения магнитных катушек цепей питания для придания угла коэффициента мощности. канала безопасности потока мощности. Полевая трубка в амортизирующем диоде во всем процессе выключения с общим диодом, поскольку существует обратный ток восстановления, в это время диод, с одной стороны, занимает сток-истоковый полюс, положительную середину существенного С другой стороны, повышение рабочих требований к рабочему напряжению и обратный ток восстановления.
Время публикации: 29 мая 2024 г.
