Как работают МОП-транзисторы?

1, МОП-транзисторвведение

Аббревиатура полевого транзистора (FET)) название MOSFET. небольшим количеством носителей для участия в теплопроводности, также известный как многополюсный транзистор. Он относится к полусверхпроводниковому механизму типа управления напряжением. Выходное сопротивление высокое (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ом), низкий уровень шума, низкое энергопотребление, статический диапазон, простота интеграции, отсутствие второго явления пробоя, задача страхования в широком море и другие преимущества теперь изменились. биполярный транзистор и силовой транзистор сильных сотрудников.

2, характеристики МОП-транзистора

1. МОП-транзистор представляет собой устройство управления напряжением, оно осуществляется через идентификатор управления VGS (напряжение источника затвора) (постоянный ток стока);

2, МОП-транзисторыВыходной полюс постоянного тока мал, поэтому выходное сопротивление велико.

3, это применение небольшого количества носителей для проведения тепла, поэтому он имеет лучшую степень стабильности;

4, он состоит из пути уменьшения электрического коэффициента уменьшения, меньшего, чем триод, состоит из пути уменьшения коэффициента уменьшения;

5, противорадиационная способность MOSFET;

6, из-за отсутствия дефектной активности дисперсии олигонов, вызванной рассеянными частицами шума, поэтому шум низкий.

3. Принцип задачи МОП-транзистора.

МОП-транзисторыпринцип работы в одном предложении, это "сток - исток между Ид, протекающим через канал для затвора и каналом между pn переходом, образованным обратным смещением напряжения затвора мастера Ид", если быть точным, Ид течет по ширине пути, то есть площади поперечного сечения канала, является изменение обратного смещения pn-перехода, что приводит к образованию обедненного слоя. Причина расширенного управления вариациями. В ненасыщенном море VGS=0, поскольку расширение переходного слоя не очень велико, в соответствии с добавлением магнитного поля VDS между стоком-источником некоторые электроны в море-источнике оттягиваются сток, т. е. существует активность DC ID от стока к источнику. Умеренный слой, расширенный от затвора к стоку, приводит к тому, что все тело канала образует блокирующий тип с полным ID. Назовите эту форму отщеплением. Символизирует переходный слой к каналу целого препятствия, а не отключения постоянного тока.

Поскольку в переходном слое нет свободного движения электронов и дырок, в идеальной форме он обладает почти изолирующими свойствами, и общий ток течь затруднен. Но тогда электрическое поле между стоком-истоком, по сути, два переходных слоя контактируют со стоком и полюсом затвора вблизи нижней части, поскольку дрейфовое электрическое поле тянет высокоскоростные электроны через переходный слой. Интенсивность поля дрейфа практически постоянна, что обеспечивает полноту ID-сцены.

В схеме используется комбинация улучшенного P-канального MOSFET и улучшенного N-канального MOSFET. Когда на входе низкий уровень, P-канальный МОП-транзистор проводит ток, а выход подключается к положительной клемме источника питания. Когда на входе высокий уровень, N-канальный МОП-транзистор проводит ток, а выход подключается к земле источника питания. В этой схеме P-канальный MOSFET и N-канальный MOSFET всегда работают в противоположных состояниях, с перепутанными фазами на входах и выходах.