Рекомендации по выбору корпуса MOSFET

Во-вторых, размер системных ограничений

Некоторые электронные системы ограничены размером печатной платы и внутренней памятью. высота, сНапример, в системах связи модульный источник питания из-за ограничений по высоте обычно использует корпус DFN5 * 6, DFN3 * 3; в некоторых источниках питания ACDC, использовании ультратонкой конструкции или из-за ограничений корпуса сборка пакета TO220 с ногами силового МОП-транзистора, непосредственно вставленными в корень ограничений по высоте, не может использовать пакет TO247. Некоторые ультратонкие конструкции, непосредственно сгибающие контакты устройства, делают процесс производства этой конструкции сложным.

В-третьих, производственный процесс компании

TO220 имеет два вида упаковки: корпус из голого металла и полный пластиковый корпус, термическое сопротивление корпуса из голого металла невелико, способность рассеивания тепла сильная, но в производственном процессе вам необходимо добавить изоляцию, производственный процесс сложен и дорогостоящий, В то время как термостойкость полной пластиковой упаковки велика, способность рассеивания тепла слабая, но производственный процесс прост.

Чтобы уменьшить искусственный процесс фиксации винтов, в последние годы в некоторых электронных системах используются зажимы для питания.МОП-транзисторы зажат в радиаторе, так что появление традиционной части TO220 в верхней части удаления отверстий в новой форме инкапсуляции, а также для уменьшения высоты устройства.

В-четвертых, контроль затрат

В некоторых чрезвычайно чувствительных к стоимости приложениях, таких как материнские платы и платы для настольных ПК, обычно используются силовые МОП-транзисторы в корпусах DPAK из-за низкой стоимости таких корпусов. Поэтому при выборе корпуса силового МОП-транзистора в сочетании со стилем компании и особенностями продукта учитывайте вышеуказанные факторы.

В-пятых, в большинстве случаев выдерживаемое напряжение выбирайте BVDSS, поскольку конструкция входа вовозраст электронного Система относительно фиксирована, компания выбрала конкретного поставщика некоторого количества материалов, номинальное напряжение продукта также фиксировано.

Напряжение пробоя BVDSS силовых МОП-транзисторов в таблице данных имеет определенные условия испытаний с разными значениями в разных условиях, а BVDSS имеет положительный температурный коэффициент, при реальном применении комбинацию этих факторов следует рассматривать комплексно.

В большом количестве информации и литературы часто упоминается: если в системе силового МОП-транзистора VDS самый высокий всплеск напряжения, если он больше, чем BVDSS, даже если длительность всплеска импульсного напряжения составляет всего несколько или десятки нс, силовой МОП-транзистор войдет в лавину. и таким образом происходит повреждение.

В отличие от транзисторов и IGBT, силовые МОП-транзисторы обладают способностью противостоять лавинному воздействию, и многие крупные полупроводниковые компании производят лавинную энергию силовых МОП-транзисторов на производственной линии — это полная проверка, 100% обнаружение, то есть в данных это гарантированное измерение лавинного напряжения. обычно происходит в 1,2 ~ 1,3 раза больше, чем BVDSS, и продолжительность времени обычно составляет мкс, даже уровень мс, тогда продолжительность составляет всего несколько или десятки нс, что намного ниже, чем импульсное напряжение лавинного напряжения, не повреждает силовой МОП-транзистор.

Шесть, по выбору напряжения привода VTH

Различные электронные системы силовых МОП-транзисторов выбирают напряжение привода не одинаково, источник питания переменного/постоянного тока обычно использует напряжение привода 12 В, преобразователь постоянного/постоянного тока материнской платы ноутбука использует напряжение привода 5 В, поэтому в соответствии с напряжением привода системы следует выбрать другое пороговое напряжение. Силовые МОП-транзисторы VTH.

Пороговое напряжение VTH силовых МОП-транзисторов в таблице данных также имеет определенные условия испытаний и имеет разные значения в разных условиях, а VTH имеет отрицательный температурный коэффициент. Разные напряжения возбуждения VGS соответствуют разным сопротивлениям включения, и в практических приложениях важно учитывать температуру.

В практических приложениях следует принимать во внимание изменения температуры, чтобы гарантировать, что силовой МОП-транзистор полностью включен, и в то же время гарантировать, что импульсы, связанные с G-полюсом во время процесса выключения, не будут вызваны ложным срабатыванием для произвести прямое или короткое замыкание.