Базовая идентификация и тестирование MOSFET

1. Идентификация контактов МОП-транзистора

ВоротаМОП-транзистор — база транзистора, а сток и исток — коллектор и эмиттер транзистора.соответствующий транзистор. Мультиметр для передачи R × 1k с двумя ручками для измерения прямого и обратного сопротивления между двумя контактами. Когда двухконтактное прямое сопротивление = обратное сопротивление = КОм, то есть два контакта для истока S и стока D, остальная часть контакта является затвором G. Если это 4-контактный разъемпереход МОП-транзистор, другой полюс – использование заземленного экрана.

Базовая идентификация и тестирование MOSFET.

2.Определитесь с воротами　

Черной ручкой мультиметра коснитесь МОП-транзистора и случайного электрода, а красной ручкой коснитесь двух других электродов. Если оба измеренных сопротивления малы, что указывает на то, что оба сопротивления являются положительными, трубка принадлежит N-канальному МОП-транзистору, тот же черный контакт ручки также является затвором.

В производственном процессе было решено, что сток и исток полевого МОП-транзистора симметричны, их можно заменять друг другом, и это не повлияет на использование схемы, схема в настоящее время также нормальна, поэтому нет необходимости идти к чрезмерному различению. Сопротивление между стоком и истоком составляет около нескольких тысяч Ом. Невозможно использовать этот метод для определения затвора типа MOSFET с изолированным затвором. Поскольку сопротивление входа этого МОП-транзистора чрезвычайно велико, а межполярная емкость между затвором и истоком очень мала, измерение даже небольшого количества заряда может быть сформировано поверх межполярного емкость чрезвычайно высокого напряжения, МОП-транзистор будет очень легко повредить.

Базовая идентификация и тестирование MOSFET(1)

3. Оценка усиливающей способности МОП-транзисторов.

Когда мультиметр установлен на R × 100, используйте красную ручку для подключения источника S и черную ручку для подключения стока D, что похоже на добавление напряжения 1,5 В к MOSFET. В это время стрелка показывает значение сопротивления между полюсом DS. В это время пальцем зажмите ворота G, индуцированное телом напряжение в качестве входного сигнала для ворот. Из-за роли усиления MOSFET ID и UDS изменятся, а это означает, что сопротивление между полюсом DS изменилось, мы можем наблюдать, что игла имеет большую амплитуду качания. Если рука зажимает затвор, колебание иглы будет очень небольшим, то есть способность усиления МОП-транзистора относительно слаба; если игла не оказывает ни малейшего действия, что указывает на повреждение МОП-транзистора.