Анализ важных причин тепловыделения МОП-транзисторов

Тип N, принцип работы MOSFET типа P по сути один и тот же, MOSFET в основном добавляется к входной стороне напряжения затвора для успешного управления выходной стороной тока стока, MOSFET - это устройство, управляемое напряжением, через добавленное напряжение. к затвору для управления характеристиками устройства, в отличие от триода, чтобы делать время переключения из-за базового тока, вызванного эффектом накопления заряда, в приложениях переключения, МОП-транзисторы в приложениях переключения,МОП-транзисторы Скорость переключения выше, чем у триода.

В импульсном источнике питания обычно используется схема с открытым стоком MOSFET, сток подключен к нагрузке как есть, называется открытым стоком, цепью с открытым стоком, нагрузка подключена к тому, насколько высокое напряжение может включаться, выключаться ток нагрузки является идеальным аналоговым коммутационным устройством, принцип которого заключается в том, что МОП-транзистор выполняет коммутационные устройства, МОП-транзистор выполняет коммутацию в виде большего количества цепей.

Что касается приложений с импульсным источником питания, для этого приложения требуется МОП-транзисторы периодически проводить, выключать, например, источник питания постоянного тока, обычно используемый в базовом понижающем преобразователе, опирается на два МОП-транзистора для выполнения функции переключения, эти переключатели поочередно в индукторе сохраняют энергию, выделяют энергию в нагрузку, часто выбирают сотни кГц или даже более 1 МГц, главным образом потому, что чем выше частота, тем меньше магнитные составляющие. При нормальной работе МОП-транзистор эквивалентен проводнику, например, мощные МОП-транзисторы, МОП-транзисторы малого напряжения, цепи, источник питания — это минимальные потери проводимости МОП.

Параметры MOSFET PDF. Производители MOSFET успешно внедрили параметр RDS (ON) для определения импеданса в открытом состоянии. Для коммутационных приложений RDS (ON) является наиболее важной характеристикой устройства; В технических характеристиках определено RDS (ON), напряжение затвора (или привода) VGS и ток, протекающий через переключатель, связаны между собой, для адекватного управления затвором RDS (ON) является относительно статичным параметром; МОП-транзисторы, находившиеся в проводящем состоянии, склонны к выделению тепла, и медленное повышение температуры перехода может привести к увеличению RDS (ON);МОП-транзистор В технических характеристиках указан параметр термического импеданса, который определяется как способность полупроводникового перехода корпуса МОП-транзистора рассеивать тепло, а RθJC просто определяется как термический импеданс между переходом и корпусом.

1, частота слишком высока, иногда чрезмерная громкость, напрямую приводит к высокой частоте, потери MOSFET увеличиваются, тем больше нагревается, не справляется с адекватной конструкцией рассеивания тепла, высокий ток, номинальный текущее значение MOSFET, необходимость хорошего отвода тепла, чтобы быть в состоянии достичь; ID меньше максимального тока, может быть серьезное нагревание, необходимость в соответствующих вспомогательных радиаторах.

2, ошибки выбора MOSFET и ошибки в оценке мощности, внутреннее сопротивление MOSFET не полностью учтено, что напрямую приведет к увеличению импеданса переключения при решении проблем с нагревом MOSFET.

3, из-за проблем с конструкцией схемы, что приводит к нагреву, поэтому MOSFET работает в линейном рабочем состоянии, а не в состоянии переключения, что является прямой причиной нагрева MOSFET, например, N-MOS выполняет переключение, G- уровень напряжения должен быть выше напряжения источника питания на несколько В, чтобы обеспечить полную проводимость, P-MOS отличается; при отсутствии полного открытия падение напряжения слишком велико, что приведет к энергопотреблению, эквивалентное сопротивление постоянного тока больше, падение напряжения также увеличится, U * I также увеличится, потеря приведет к нагреву.