WST2011 Двойной P-канал -20В -3,2А SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Общее описание
МОП-транзисторы WST2011 — это самые совершенные из доступных P-ch транзисторов с непревзойденной плотностью ячеек.Они обеспечивают исключительную производительность с низким уровнем RDSON и заряда затвора, что делает их идеальными для небольших устройств переключения мощности и переключения нагрузки.Кроме того, WST2011 соответствует стандартам RoHS и Green Product, а также имеет сертификат полнофункциональной надежности.
Функции
Усовершенствованная технология Trench обеспечивает более высокую плотность ячеек, что приводит к созданию экологически чистого устройства со сверхнизким зарядом затвора и отличным снижением эффекта CdV/dt.
Приложения
Высокочастотное синхронное переключение малой мощности в точке нагрузки подходит для использования в MB/NB/UMPC/VGA, сетевых системах питания постоянного тока, переключателях нагрузки, электронных сигаретах, контроллерах, цифровых продуктах, мелкой бытовой технике и бытовой электронике. .
соответствующий номер материала
НА FDC634P, VISHAY Si3443DDV, NXP PMDT670UPE,
Важные параметры
| Символ | Параметр | Рейтинг | Единицы | |
| 10 с | Устойчивое состояние | |||
| ВДС | Напряжение сток-исток | -20 | V | |
| ВГС | Напряжение затвор-исток | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Непрерывный ток стока, VGS при -4,5 В1 | -3,6 | -3,2 | A |
| ID@TA=70℃ | Непрерывный ток стока, VGS при -4,5 В1 | -2,6 | -2,4 | A |
| ИДМ | Импульсный ток стока2 | -12 | A | |
| ПД@ТА=25℃ | Общая рассеиваемая мощность3 | 1,7 | 1,4 | W |
| ПД@ТА=70℃ | Общая рассеиваемая мощность3 | 1.2 | 0,9 | W |
| ТСГ | Диапазон температур хранения | от -55 до 150 | ℃ | |
| TJ | Диапазон температур рабочего перехода | от -55 до 150 | ℃ | |
| Символ | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единица |
| БВДСС | Напряжение пробоя сток-исток | ВГС=0В, ID=-250мкА | -20 | --- | --- | V |
| △БВДСС/△ТДЖ | Температурный коэффициент BVDSS | Ссылка на 25℃, ID=-1мА | --- | -0,011 | --- | В/℃ |
| РДС(ВКЛ) | Статическое сопротивление включения источника стока2 | ВГС=-4,5В, ID=-2А | --- | 80 | 85 | мОм |
| ВГС=-2,5В, ID=-1А | --- | 95 | 115 | |||
| ВГС(й) | Пороговое напряжение затвора | ВГС=ВДС, ID=-250мкА | -0,5 | -1,0 | -1,5 | V |
| △ВГС(й) | VGS(th) Температурный коэффициент | --- | 3,95 | --- | мВ/℃ | |
| ИДСС | Ток утечки сток-исток | ВДС=-16В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| ВДС=-16В, ВГС=0В, ТДЖ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| ИГСС | Ток утечки затвор-исток | ВГС=±12В, ВДС=0В | --- | --- | ±100 | nA |
| подружки | Прямая крутизна | ВДС=-5В, ID=-2А | --- | 8,5 | --- | S |
| Qg | Общий заряд затвора (-4,5 В) | ВДС=-15В, ВГС=-4,5В, ID=-2А | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| вопросы | Заряд ворота-источника | --- | 1.1 | 1,7 | ||
| Кгд | Заряд ворота-стока | --- | 1.1 | 2,9 | ||
| Время ожидания (вкл.) | Время задержки включения | ВДД=-15В, ВГС=-4,5В, RG=3,3 Ом, ID=-2А | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Время нарастания | --- | 9.3 | --- | ||
| Время ожидания (выкл.) | Время задержки выключения | --- | 15,4 | --- | ||
| Tf | Время осени | --- | 3.6 | --- | ||
| Сисс | Входная емкость | VDS=-15В, VGS=0В, f=1МГц | --- | 750 | --- | pF |
| Косс | Выходная емкость | --- | 95 | --- | ||
| Кресс | Обратная передаточная емкость | --- | 68 | --- |
