WSR200N08 N-канальный 80 В 200 А TO-220-3L WINSOK MOSFET
Общее описание
WSR200N08 — это траншейный N-Ch MOSFET транзистор с высочайшими характеристиками и чрезвычайно высокой плотностью ячеек, который обеспечивает превосходный RDSON и заряд затвора для большинства приложений синхронных понижающих преобразователей. WSR200N08 соответствует требованиям RoHS и экологичности продукции, имеет 100% гарантию EAS и одобренную полную функциональную надежность.
Функции
Усовершенствованная технология Trench с высокой плотностью ячеек, сверхнизкий заряд затвора, отличное снижение эффекта CdV/dt, 100% гарантия EAS, доступное экологически чистое устройство.
Приложения
Коммутационные приложения, управление питанием для инверторных систем, электронные сигареты, беспроводная зарядка, двигатели, BMS, источники аварийного питания, дроны, медицина, автомобильная зарядка, контроллеры, 3D-принтеры, цифровые продукты, мелкая бытовая техника, бытовая электроника и т. д.
соответствующий номер материала
АО AOT480L, НА FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1 и т. д.
Важные параметры
Электрические характеристики (TJ=25℃, если не указано иное)
Символ | Параметр | Рейтинг | Единицы |
ВДС | Напряжение сток-исток | 80 | V |
ВГС | Напряжение затвор-исток | ±25 | V |
ID@TC=25℃ | Непрерывный ток стока, VGS при 10 В1 | 200 | A |
ID@TC=100℃ | Непрерывный ток стока, VGS при 10 В1 | 144 | A |
ИДМ | Импульсный ток стока2,TC=25°C | 790 | A |
ЭАС | Лавинная энергия, одиночный импульс, L=0,5 мГн | 1496 | mJ |
МСФО | Лавинный ток, одиночный импульс, L=0,5 мГн | 200 | A |
ПД@ТС=25℃ | Общая рассеиваемая мощность4 | 345 | W |
ПД@ТС=100℃ | Общая рассеиваемая мощность4 | 173 | W |
ТСТГ | Диапазон температур хранения | от -55 до 175 | ℃ |
TJ | Диапазон температур рабочего перехода | 175 | ℃ |
Символ | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единица |
БВДСС | Напряжение пробоя сток-исток | ВГС=0В, ID=250мкА | 80 | --- | --- | V |
△БВДСС/△ТДЖ | Температурный коэффициент BVDSS | Ссылка на 25 ℃, ID=1 мА | --- | 0,096 | --- | В/℃ |
РДС(ВКЛ) | Статическое сопротивление включения источника стока2 | ВГС=10В,ИД=100А | --- | 2.9 | 3,5 | мОм |
ВГС(й) | Пороговое напряжение затвора | ВГС=ВДС, ID=250мкА | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△ВГС(й) | VGS(th) Температурный коэффициент | --- | -5,5 | --- | мВ/℃ | |
ИДСС | Ток утечки сток-исток | ВДС=80В, ВГС=0В, ТДж=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
ВДС=80В, ВГС=0В, ТДЖ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
ИГСС | Ток утечки затвор-исток | ВГС=±25В, ВДС=0В | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | Сопротивление ворот | VDS=0В, VGS=0В, f=1МГц | --- | 3.2 | --- | Ω |
Qg | Общий заряд затвора (10 В) | ВДС=80В, ВГС=10В, ID=30А | --- | 197 | --- | nC |
вопросы | Заряд ворота-источника | --- | 31 | --- | ||
Кгд | Заряд ворота-стока | --- | 75 | --- | ||
Время ожидания (вкл.) | Время задержки включения | ВДД=50В, ВГС=10В,РГ=3Ом, ID=30А | --- | 28 | --- | ns |
Tr | Время подъема | --- | 18 | --- | ||
Время ожидания (выкл.) | Время задержки выключения | --- | 42 | --- | ||
Tf | Время осени | --- | 54 | --- | ||
Сисс | Входная емкость | VDS=15В, VGS=0В, f=1МГц | --- | 8154 | --- | pF |
Косс | Выходная емкость | --- | 1029 | --- | ||
Кресс | Обратная передаточная емкость | --- | 650 | --- |