WSF70P02 P-канал -20В -70А TO-252 WINSOK MOSFET
Общее описание
WSF70P02 MOSFET — это высокопроизводительное траншейное устройство с P-каналом и высокой плотностью ячеек. Он обеспечивает превосходный RDSON и заряд затвора для большинства приложений синхронных понижающих преобразователей. Устройство соответствует требованиям RoHS и Green Product, имеет 100% гарантию EAS и сертифицировано как полнофункциональная надежность.
Функции
Усовершенствованная технология Trench с высокой плотностью ячеек, сверхнизким зарядом затвора, отличным снижением эффекта CdV/dt, 100% гарантией EAS и опциями для экологически чистых устройств.
Приложения
Высокочастотная синхронная точка нагрузки, понижающий преобразователь для MB/NB/UMPC/VGA, сетевая система питания постоянного тока, переключатель нагрузки, электронные сигареты, беспроводная зарядка, двигатели, аварийные источники питания, дроны, медицинская помощь, автомобильные зарядные устройства , контроллеры, цифровая продукция, мелкая бытовая техника, бытовая электроника.
соответствующий номер материала
АОС
Важные параметры
Символ | Параметр | Рейтинг | Единицы | |
10 с | Устойчивое состояние | |||
ВДС | Напряжение сток-исток | -20 | V | |
ВГС | Напряжение затвор-исток | ±12 | V | |
ID@TC=25℃ | Непрерывный ток стока, VGS при -10 В1 | -70 | A | |
ID@TC=100℃ | Непрерывный ток стока, VGS при -10 В1 | -36 | A | |
ИДМ | Импульсный ток стока2 | -200 | A | |
ЭАС | Одноимпульсная лавинная энергия3 | 360 | mJ | |
МСФО | Лавинное течение | -55,4 | A | |
ПД@ТС=25℃ | Общая рассеиваемая мощность4 | 80 | W | |
ТСТГ | Диапазон температур хранения | от -55 до 150 | ℃ | |
TJ | Диапазон температур рабочего перехода | от -55 до 150 | ℃ |
Символ | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единица |
БВДСС | Напряжение пробоя сток-исток | ВГС=0В, ID=-250мкА | -20 | --- | --- | V |
△БВДСС/△ТДЖ | Температурный коэффициент BVDSS | Ссылка на 25℃, ID=-1мА | --- | -0,018 | --- | В/℃ |
РДС(ВКЛ) | Статическое сопротивление включения источника стока2 | ВГС=-4,5В, ID=-15А | --- | 6,8 | 9,0 | мОм |
ВГС=-2,5В, ID=-10А | --- | 8.2 | 11 | |||
ВГС(й) | Пороговое напряжение затвора | ВГС=ВДС, ID=-250мкА | -0,4 | -0,6 | -1,2 | V |
△ВГС(й) | VGS(th) Температурный коэффициент | --- | 2,94 | --- | мВ/℃ | |
ИДСС | Ток утечки сток-исток | ВДС=-20В, ВГС=0В, ТДЖ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
ВДС=-20В, ВГС=0В, ТДЖ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
ИГСС | Ток утечки затвор-исток | ВГС=±12В, ВДС=0В | --- | --- | ±100 | nA |
подружки | Прямая крутизна | ВДС=-5В, ID=-10А | --- | 45 | --- | S |
Qg | Общий заряд затвора (-4,5 В) | ВДС=-15В, ВГС=-4,5В, ID=-10А | --- | 63 | --- | nC |
вопросы | Заряд ворота-источника | --- | 9.1 | --- | ||
Кгд | Заряд ворота-стока | --- | 13 | --- | ||
Время ожидания (вкл.) | Время задержки включения | ВДД=-10В, ВГС=-4,5В, RG=3,3 Ом, ID=-10А | --- | 16 | --- | ns |
Tr | Время подъема | --- | 77 | --- | ||
Время ожидания (выкл.) | Время задержки выключения | --- | 195 | --- | ||
Tf | Время осени | --- | 186 | --- | ||
Сисс | Входная емкость | VDS=-10В, VGS=0В, f=1МГц | --- | 5783 | --- | pF |
Косс | Выходная емкость | --- | 520 | --- | ||
Кресс | Обратная передаточная емкость | --- | 445 | --- |