WSF4022 Двойной N-канальный 40 В 20 А TO-252-4L WINSOK MOSFET
Общее описание
WSF4022 — это траншейный двойной N-Ch MOSFET с высочайшей производительностью и чрезвычайно высокой плотностью ячеек, который обеспечивает превосходный RDSON и заряд затвора для большинства приложений синхронных понижающих преобразователей. WSF4022 соответствует требованиям RoHS и экологически чистого продукта. 100% гарантия EAS с полной функциональностью. надежность подтверждена.
Функции
Для H-моста с предварительным драйвером вентилятора, управления двигателем, синхронного выпрямления, электронных сигарет, беспроводной зарядки, двигателей, источников аварийного питания, дронов, медицинской помощи, автомобильных зарядных устройств, контроллеров, цифровых продуктов, мелкой бытовой техники, бытовой электроники.
Приложения
Для H-моста с предварительным драйвером вентилятора, управления двигателем, синхронного выпрямления, электронных сигарет, беспроводной зарядки, двигателей, источников аварийного питания, дронов, медицинской помощи, автомобильных зарядных устройств, контроллеров, цифровых продуктов, мелкой бытовой техники, бытовой электроники.
соответствующий номер материала
АОС
Важные параметры
Символ | Параметр | Рейтинг | Единицы | |
ВДС | Напряжение сток-исток | 40 | V | |
ВГС | Напряжение затвор-исток | ±20 | V | |
ID | Ток стока (постоянный) *AC | ТК=25°С | 20* | A |
ID | Ток стока (постоянный) *AC | ТК=100°С | 20* | A |
ID | Ток стока (постоянный) *AC | ТА=25°С | 12.2 | A |
ID | Ток стока (постоянный) *AC | ТА=70°С | 10.2 | A |
ИДМа | Импульсный ток стока | ТК=25°С | 80* | A |
ЕАСб | Одноимпульсная лавинная энергия | L=0,5 мГн | 25 | mJ |
МСФО б | Лавинное течение | L=0,5 мГн | 17,8 | A |
PD | Максимальная рассеиваемая мощность | ТК=25°С | 39,4 | W |
PD | Максимальная рассеиваемая мощность | ТК=100°С | 19,7 | W |
PD | Рассеяние мощности | ТА=25°С | 6.4 | W |
PD | Рассеяние мощности | ТА=70°С | 4.2 | W |
TJ | Диапазон температур рабочего перехода | 175 | ℃ | |
ТСТГ | Рабочая температура/температура хранения | -55~175 | ℃ | |
RθJA б | Термическое сопротивление переход-окружающая среда | Устойчивое состояние c | 60 | ℃/Вт |
RθJC | Термическое сопротивление соединения с корпусом | 3,8 | ℃/Вт |
Символ | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единица |
Статический | ||||||
В(БР)ДСС | Напряжение пробоя сток-исток | VGS = 0 В, ID = 250 мкА | 40 | V | ||
ИДСС | Нулевое напряжение затвора Ток стока | ВДС = 32В, ВГС = 0В | 1 | мкА | ||
ИДСС | Нулевое напряжение затвора Ток стока | VDS = 32 В, VGS = 0 В, TJ = 85°C | 30 | мкА | ||
ИГСС | Ток утечки затвора | VGS = ±20 В, VDS = 0 В | ±100 | nA | ||
ВГС(й) | Пороговое напряжение затвора | VGS = VDS, IDS = 250 мкА | 1.1 | 1,6 | 2,5 | V |
РДС(вкл)д | Сопротивление во включенном состоянии стока-источника | ВГС = 10 В, ID = 10 А | 16 | 21 | мОм | |
VGS = 4,5 В, ID = 5 А | 18 | 25 | мОм | |||
Плательщик за ворота | ||||||
Qg | Общая плата за ворота | ВДС=20В,ВГС=4,5В, ID=10А | 7,5 | nC | ||
вопросы | Заряд ворота-источника | 3.24 | nC | |||
Кгд | Заряд ворота-стока | 2,75 | nC | |||
Динамика | ||||||
Сисс | Входная емкость | VGS=0В, VDS=20В, f=1МГц | 815 | pF | ||
Косс | Выходная емкость | 95 | pF | |||
Кресс | Обратная передаточная емкость | 60 | pF | |||
ТД (вкл.) | Время задержки включения | ВДД=20В, ВГЕН=10В, IDS=1А,RG=6Ом,RL=20Ом. | 7,8 | ns | ||
tr | Время нарастания включения | 6,9 | ns | |||
время (выкл.) | Время задержки выключения | 22,4 | ns | |||
tf | Время выключения | 4,8 | ns | |||
Диод | ||||||
ВСДд | Прямое напряжение диода | ИСД=1А, ВГС=0В | 0,75 | 1.1 | V | |
трр | Входная емкость | IDS=10А, dlSD/dt=100А/мкс | 13 | ns | ||
Крр | Выходная емкость | 8,7 | nC |