WSD80130DN56 N-канальный 80 В 130 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продукты

WSD80130DN56 N-канальный 80 В 130 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Краткое описание:

Номер части:WSD80130DN56

БВДСС:80В

ИДЕНТИФИКАТОР:130А

РДСОН:2,7 мОм

Канал:N-канал

Упаковка:DFN5X6-8


Информация о продукте

Приложение

Теги продукта

Обзор продукта WINSOK MOSFET

Напряжение МОП-транзистора WSD80130DN56 составляет 80 В, ток 130 А, сопротивление 2,7 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.

Области применения WINSOK MOSFET

Дроны MOSFET, двигатели MOSFET, медицинские MOSFET, электроинструменты MOSFET, ESC MOSFET.

WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.

МОП-транзистор AOS AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

Параметры МОП-транзистора

Символ

Параметр

Рейтинг

Единицы

ВДС

Напряжение сток-исток

80

V

ВГС

Гейт-Суrнапряжение CE

±20

V

TJ

Максимальная температура перехода

150

°С

ID

Диапазон температур хранения

от -55 до 150

°С

ID

Непрерывный ток стока, ВGS=10В,ТC=25°С

130

A

Непрерывный ток стока, ВGS=10В,ТC=70°С

89

A

ИДМ

Импульсный ток стока, ТC=25°С

400

A

PD

Максимальная рассеиваемая мощность, ТC=25°С

200

W

RqJC

Термическое сопротивление соединения с корпусом

1,25

°С

       

 

Символ

Параметр

Условия

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

BVДСС

Напряжение пробоя сток-исток VGS=0В , яD= 250 мкА

80

---

---

V

БВДСС/△TJ

BVДССТемпературный коэффициент Ссылка на 25, яD= 1 мА

---

0,043

---

V/

РДС(ВКЛ)

Статическое сопротивление включения источника стока2 ВГС=10В , яD=40А

---

2.7

3.6

mΩ

ВГС(й)

Пороговое напряжение затвора VGS=VDS, яD= 250 мкА

2.0

3.0

4.0

V

VОШ(й)

VОШ(й)Температурный коэффициент

---

-6,94

---

мВ/

ИДСС

Ток утечки сток-исток VDS=48В , ВGS=0В , ТJ=25

---

---

2

uA

VDS=48В , ВGS=0В , ТJ=55

---

---

10

ИГСС

Ток утечки затвор-исток VGS=±20В, ВDS=0 В

---

---

±100

nA

Qg

Общий заряд затвора (10 В) VDS=30В , ВGS=10В , яD=30А

---

48,6

---

nC

Qgs

Заряд ворота-источника

---

17,5

---

Qgd

Заряд ворота-стока

---

10.4

---

Время ожидания (вкл.)

Время задержки включения VDD=30В , ВGS= 10 В ,

RG=2,5Ω, яD=2А,RL=15Ом.

---

20

---

ns

Tr

Время нарастания

---

10

---

Время ожидания (выкл.)

Время задержки выключения

---

35

---

Tf

Время осени

---

12

---

Cэто

Входная емкость VDS=25В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

4150

---

pF

Косс

Выходная емкость

---

471

---

CRSS

Обратная передаточная емкость

---

20

---


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам