WSD80120DN56 N-канальный 85 В 120 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продукты

WSD80120DN56 N-канальный 85 В 120 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Краткое описание:

Номер части:WSD80120DN56

БВДСС:85В

ИДЕНТИФИКАТОР:120А

РДСОН:3,7 мОм

Канал:N-канал

Упаковка:DFN5X6-8


Информация о продукте

Приложение

Теги продукта

Обзор продукта WINSOK MOSFET

Напряжение МОП-транзистора WSD80120DN56 составляет 85 В, ток 120 А, сопротивление 3,7 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.

Области применения WINSOK MOSFET

МОП-транзистор медицинского напряжения, МОП-транзистор для фотографического оборудования, МОП-транзистор для дронов, МОП-транзистор для промышленного управления, МОП-транзистор 5G, МОП-транзистор для автомобильной электроники.

WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.

МОП-транзистор AOS AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

Параметры МОП-транзистора

Символ

Параметр

Рейтинг

Единицы

ВДС

Напряжение сток-исток

85

V

ВГС

Гейт-Суrнапряжение CE

±25

V

ID@TC=25

Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В

120

A

ID@TC=100

Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В

96

A

ИДМ

Импульсный ток стока..TC=25°С

384

A

ЭАС

Лавинная энергия, одиночный импульс, L=0,5 мГн

320

mJ

МСФО

Лавинный ток, одиночный импульс, L=0,5 мГн

180

A

PD@TC=25

Общая рассеиваемая мощность

104

W

PD@TC=100

Общая рассеиваемая мощность

53

W

ТСГ

Диапазон температур хранения

от -55 до 175

TJ

Диапазон температур рабочего перехода

175

 

Символ

Параметр

Условия

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

BVДСС

Напряжение пробоя сток-исток VGS=0В , яD= 250 мкА 85

---

---

V

БВДСС/△TJ

BVДССТемпературный коэффициент Ссылка на 25, яD= 1 мА

---

0,096

---

V/

РДС(ВКЛ)

Статическое сопротивление включения источника стока VGS=10В,яD=50А

---

3,7

4,8

mΩ

ВГС(й)

Пороговое напряжение затвора VGS=VDS, яD= 250 мкА

2.0

3.0

4.0

V

VОШ(й)

VОШ(й)Температурный коэффициент

---

-5,5

---

мВ/

ИДСС

Ток утечки сток-исток VDS=85В , ВGS=0В , ТJ=25

---

---

1

uA

VDS=85В , ВGS=0В , ТJ=55

---

---

10

ИГСС

Ток утечки затвор-исток VGS=±25В, ВDS=0 В

---

---

±100

nA

Rg

Сопротивление ворот VDS=0В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

3.2

---

Ω

Qg

Общий заряд затвора (10 В) VDS=50В , ВGS=10В , яD=10А

---

54

---

nC

Qgs

Заряд ворота-источника

---

17

---

Qgd

Заряд ворота-стока

---

11

---

Время ожидания (вкл.)

Время задержки включения VDD=50В , ВGS= 10 В ,

RG=1Ω,RL=1Ом,IDS=10А.

---

21

---

ns

Tr

Время нарастания

---

18

---

Время ожидания (выкл.)

Время задержки выключения

---

36

---

Tf

Время осени

---

10

---

Cэто

Входная емкость VDS=40В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

3750

---

pF

Косс

Выходная емкость

---

395

---

CRSS

Обратная передаточная емкость

---

180

---


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам