WSD75N12GDN56 N-канальный 120 В 75 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Обзор продукта WINSOK MOSFET
Напряжение МОП-транзистора WSD75N12GDN56 составляет 120 В, ток 75 А, сопротивление 6 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.
Области применения WINSOK MOSFET
Медицинское оборудование MOSFET, дроны MOSFET, источники питания PD MOSFET, источники питания светодиодов MOSFET, промышленное оборудование MOSFET.
Области применения MOSFETWINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.
МОП-транзистор AOS AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.МОП-транзистор PANJIT PSMQC76N12LS1.
Параметры МОП-транзистора
| Символ | Параметр | Рейтинг | Единицы |
| ВДСС | Напряжение сток-исток | 120 | V |
| VGS | Напряжение затвор-исток | ±20 | V |
| ID | 1 Непрерывный ток стока (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Непрерывный ток стока (Tc=70℃) | 70 | A |
| ИДМ | Импульсный ток стока | 320 | A |
| IAR | Одноимпульсный лавинный ток | 40 | A |
| EASa | Энергия одиночного импульса лавины | 240 | mJ |
| PD | Рассеяние мощности | 125 | W |
| Ти Джей, Цстг | Диапазон рабочих температур и температур хранения | от -55 до 150 | ℃ |
| TL | Максимальная температура пайки | 260 | ℃ |
| RθJC | Термическое сопротивление, переход к корпусу | 1.0 | ℃/Вт |
| РθJA | Термическое сопротивление, соединение-окружающая среда | 50 | ℃/Вт |
| Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
| ВДСС | Напряжение пробоя стока к источнику | VGS=0В, ID=250мкА | 120 | -- | -- | V |
| ИДСС | Сток к источнику тока утечки | ВДС = 120 В, ВГС = 0 В | -- | -- | 1 | мкА |
| ИГСС(Ф) | Прямая утечка от ворот к источнику | ВГС =+20В | -- | -- | 100 | nA |
| ИГСС(Р) | Обратная утечка от шлюза к источнику | ВГС =-20В | -- | -- | -100 | nA |
| ВГС(ТД) | Пороговое напряжение затвора | VDS=VGS, ID = 250 мкА | 2,5 | 3.0 | 3,5 | V |
| РДС(ВКЛ)1 | Сопротивление включения сток-исток | ВГС=10В, ID=20А | -- | 6.0 | 6,8 | мОм |
| гФС | Прямая крутизна | ВДС=5В, ID=50А | 130 | -- | S | |
| Сисс | Входная емкость | VGS = 0 В VDS = 50 В f =1,0 МГц | -- | 4282 | -- | pF |
| Косс | Выходная емкость | -- | 429 | -- | pF | |
| Кресс | Обратная передаточная емкость | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Сопротивление ворот | -- | 2,5 | -- | Ом | |
| тд(ВКЛ) | Время задержки включения | ID =20А VDS = 50В VGS = 10 В RG = 5 Ом | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Время нарастания | -- | 11 | -- | ns | |
| тд(ВЫКЛ) | Время задержки выключения | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Время осени | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Общая плата за ворота | ВГС = 0~10 В ВДС = 50 ВID =20А | -- | 61,4 | -- | nC |
| вопросы | Заряд источника ворот | -- | 17,4 | -- | nC | |
| Кгд | Заряд дренажа ворот | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Прямой ток диода | ТК =25 °С | -- | -- | 100 | A |
| ИСМ | Импульсный ток диода | -- | -- | 320 | A | |
| ВСД | Прямое напряжение диода | IS=6,0 А, VGS=0 В | -- | -- | 1.2 | V |
| трр | Обратное время восстановления | IS=20А, VDD=50В диF/dt=100А/мкс | -- | 100 | -- | ns |
| Крр | Обратный сбор за возмещение | -- | 250 | -- | nC |
