WSD75100DN56 N-канальный 75 В 100 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продукты

WSD75100DN56 N-канальный 75 В 100 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Краткое описание:

Номер части:WSD75100DN56

БВДСС:75В

ИДЕНТИФИКАТОР:100А

РДСОН:5,3 мОм 

Канал:N-канал

Упаковка:DFN5X6-8


Информация о продукте

Приложение

Теги продукта

Обзор продукта WINSOK MOSFET

Напряжение МОП-транзистора WSD75100DN56 составляет 75 В, ток 100 А, сопротивление 5,3 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.

Области применения WINSOK MOSFET

Электронные сигареты MOSFET, беспроводная зарядка MOSFET, дроны MOSFET, медицинская помощь MOSFET, автомобильные зарядные устройства MOSFET, контроллеры MOSFET, цифровые продукты MOSFET, мелкая бытовая техника MOSFET, бытовая электроника MOSFET.

WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.

AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3G,BSC36NE7NS3G.POTENS Полупроводниковый МОП-транзистор PDC7966X .

Параметры МОП-транзистора

Символ

Параметр

Рейтинг

Единицы

ВДС

Напряжение сток-исток

75

V

ВГС

Гейт-Суrнапряжение CE

±25

V

TJ

Максимальная температура перехода

150

°С

ID

Диапазон температур хранения

от -55 до 150

°С

IS

Непрерывный прямой ток диода, ТC=25°С

50

A

ID

Непрерывный ток стока, ВGS=10В,ТC=25°С

100

A

Непрерывный ток стока, ВGS=10В,ТC=100°С

73

A

ИДМ

Импульсный ток стока, ТC=25°С

400

A

PD

Максимальная рассеиваемая мощность, ТC=25°С

155

W

Максимальная рассеиваемая мощность, ТC=100°С

62

W

RθJA

Термическое сопротивление перехода к окружающей среде, t = 10 с ̀

20

°С

Термическое сопротивление перехода к окружающей среде, устойчивое состояние

60

°С

RqJC

Термическое сопротивление соединения с корпусом

0,8

°С

МСФО

Лавинный ток, одиночный импульс, L=0,5 мГн

30

A

EAS

Лавинная энергия, одиночный импульс, L=0,5 мГн

225

mJ

 

Символ

Параметр

Условия

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

BVДСС

Напряжение пробоя сток-исток VGS=0В , яD= 250 мкА

75

---

---

V

БВДСС/△TJ

BVДССТемпературный коэффициент Ссылка на 25, яD= 1 мА

---

0,043

---

V/

РДС(ВКЛ)

Статическое сопротивление включения источника стока2 ВГС=10В , яD=25А

---

5.3

6.4

mΩ

ВГС(й)

Пороговое напряжение затвора VGS=VDS, яD= 250 мкА

2.0

3.0

4.0

V

VОШ(й)

VОШ(й)Температурный коэффициент

---

-6,94

---

мВ/

ИДСС

Ток утечки сток-исток VDS=48В , ВGS=0В , ТJ=25

---

---

2

uA

VDS=48В , ВGS=0В , ТJ=55

---

---

10

ИГСС

Ток утечки затвор-исток VGS=±20В, ВDS=0 В

---

---

±100

nA

подружки

Прямая крутизна VDS=5В , яD=20А

---

50

---

S

Rg

Сопротивление ворот VDS=0В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

1.0

2

Ω

Qg

Общий заряд затвора (10 В) VDS=20В , ВGS=10В , яD=40А

---

65

85

nC

Qgs

Заряд ворота-источника

---

20

---

Qgd

Заряд ворота-стока

---

17

---

Время ожидания (вкл.)

Время задержки включения VDD=30В , ВОБЩ=10 В , РG=1Ω, яD=1А,RL=15Ом.

---

27

49

ns

Tr

Время нарастания

---

14

26

Время ожидания (выкл.)

Время задержки выключения

---

60

108

Tf

Время осени

---

37

67

Cэто

Входная емкость VDS=20В , ВGS=0 В, f=1 МГц

3450

3500 4550

pF

Косс

Выходная емкость

245

395

652

CRSS

Обратная передаточная емкость

100

195

250


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам