WSD75100DN56 N-канальный 75 В 100 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Обзор продукта WINSOK MOSFET
Напряжение МОП-транзистора WSD75100DN56 составляет 75 В, ток 100 А, сопротивление 5,3 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.
Области применения WINSOK MOSFET
Электронные сигареты MOSFET, беспроводная зарядка MOSFET, дроны MOSFET, медицинская помощь MOSFET, автомобильные зарядные устройства MOSFET, контроллеры MOSFET, цифровые продукты MOSFET, мелкая бытовая техника MOSFET, бытовая электроника MOSFET.
WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.
AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET BSC42NE7NS3G,BSC36NE7NS3G.POTENS Полупроводниковый МОП-транзистор PDC7966 Х.
Параметры МОП-транзистора
Символ | Параметр | Рейтинг | Единицы |
ВДС | Напряжение сток-исток | 75 | V |
ВГС | Гейт-Суrнапряжение CE | ±25 | V |
TJ | Максимальная температура перехода | 150 | °С |
ID | Диапазон температур хранения | от -55 до 150 | °С |
IS | Непрерывный прямой ток диода, ТC=25°С | 50 | A |
ID | Непрерывный ток стока, ВGS=10В,ТC=25°С | 100 | A |
Непрерывный ток стока, ВGS=10В,ТC=100°С | 73 | A | |
ИДМ | Импульсный ток стока, ТC=25°С | 400 | A |
PD | Максимальная рассеиваемая мощность, ТC=25°С | 155 | W |
Максимальная рассеиваемая мощность, ТC=100°С | 62 | W | |
RθJA | Термическое сопротивление перехода к окружающей среде, t = 10 с ̀ | 20 | °С |
Термическое сопротивление перехода к окружающей среде, устойчивое состояние | 60 | °С | |
RqJC | Термическое сопротивление соединения с корпусом | 0,8 | °С |
МСФО | Лавинный ток, одиночный импульс, L=0,5 мГн | 30 | A |
EAS | Лавинная энергия, одиночный импульс, L=0,5 мГн | 225 | mJ |
Символ | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единица |
BVДСС | Напряжение пробоя сток-исток | VGS=0В , яD= 250 мкА | 75 | --- | --- | V |
△БВДСС/△TJ | BVДССТемпературный коэффициент | Ссылка на 25℃, яD= 1 мА | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
РДС(ВКЛ) | Статическое сопротивление включения источника стока2 | ВГС=10В , яD=25А | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
ВГС(й) | Пороговое напряжение затвора | VGS=VDS, яD= 250 мкА | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VОШ(ты) | VОШ(ты)Температурный коэффициент | --- | -6,94 | --- | мВ/℃ | |
ИДСС | Ток утечки сток-исток | VDS=48В , ВGS=0В , ТJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
VDS=48В , ВGS=0В , ТJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
ИГСС | Ток утечки затвор-исток | VGS=±20В, ВDS=0 В | --- | --- | ±100 | nA |
подружки | Прямая крутизна | VDS=5В , яD=20А | --- | 50 | --- | S |
Rg | Сопротивление ворот | VDS=0В , ВGS=0 В, f=1 МГц | --- | 1.0 | 2 | Ω |
Qg | Общий заряд затвора (10 В) | VDS=20В , ВGS=10В , яD=40А | --- | 65 | 85 | nC |
Qgs | Заряд ворота-источника | --- | 20 | --- | ||
Qgd | Заряд ворота-стока | --- | 17 | --- | ||
Время ожидания (вкл.) | Время задержки включения | VDD=30В , ВОБЩ=10 В , РG=1Ω, яD=1А,RL=15Ом. | --- | 27 | 49 | ns |
Tr | Время подъема | --- | 14 | 26 | ||
Время ожидания (выкл.) | Время задержки выключения | --- | 60 | 108 | ||
Tf | Время осени | --- | 37 | 67 | ||
Cэто | Входная емкость | VDS=20В , ВGS=0 В, f=1 МГц | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
Косс | Выходная емкость | 245 | 395 | 652 | ||
CRSS | Обратная передаточная емкость | 100 | 195 | 250 |