WSD60N12GDN56 N-канальный 120 В 70 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продукты

WSD60N12GDN56 N-канальный 120 В 70 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Краткое описание:

Номер части:WSD60N12GDN56

БВДСС:120 В

ИДЕНТИФИКАТОР:70А

РДСОН:10мОм

Канал:N-канал

Упаковка:DFN5X6-8


Информация о продукте

Приложение

Теги продукта

Обзор продукта WINSOK MOSFET

Напряжение МОП-транзистора WSD60N12GDN56 составляет 120 В, ток 70 А, сопротивление 10 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.

Области применения WINSOK MOSFET

Медицинское оборудование MOSFET, дроны MOSFET, источники питания PD MOSFET, источники питания светодиодов MOSFET, промышленное оборудование MOSFET.

Области применения MOSFETWINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.

МОП-транзистор AOS AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.МОП-транзистор PANJIT PSMQC76N12LS1.POTENS Полупроводниковый МОП-транзистор PDC974X.

Параметры МОП-транзистора

Символ

Параметр

Рейтинг

Единицы

ВДС

Напряжение сток-исток

120

V

ВГС

Напряжение затвор-исток

±20

V

ID@TC=25℃

Непрерывный ток стока

70

A

ВПЛ

Импульсный ток стока

150

A

ЭАС

Лавинная энергия, одиночный импульс

53,8

mJ

PD@TC=25℃

Общая рассеиваемая мощность

140

Вт

ТСГ

Диапазон температур хранения

от -55 до 150

TJ 

Диапазон температур рабочего перехода

от -55 до 150

 

Символ

Параметр

Условия

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

BVДСС 

Напряжение пробоя сток-исток VGS=0В , яD= 250 мкА

120

---

---

V

  Статическое сопротивление включения источника стока ВГС=10В,ИД=10А.

---

10

15

мОм

РДС(ВКЛ)

ВГС=4,5В,ИД=10А.

---

18

25

мОм

ВГС(й)

Пороговое напряжение затвора VGS=VDS, яD= 250 мкА

1.2

---

2,5

V

ИДСС

Ток утечки сток-исток VDS=80В , ВGS=0В , ТJ=25℃

---

---

1

uA

ИГСС

Ток утечки затвор-исток VGS=±20В , ВDS=0 В

---

---

±100

nA

Qg 

Общий заряд затвора (10 В) VDS=50В , ВGS=10В , яD=25А

---

33

---

nC

Qgs 

Заряд ворота-источника

---

5,6

---

Qgd 

Заряд ворота-стока

---

7.2

---

Время ожидания (вкл.)

Время задержки включения VDD=50В , ВGS= 10 В ,

RG=2Ом, яD=25А

---

22

---

ns

Tr 

Время нарастания

---

10

---

Время ожидания (выкл.)

Время задержки выключения

---

85

---

Tf 

Время осени

---

112

---

Cэто 

Входная емкость VDS=50В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

2640

---

pF

Косс

Выходная емкость

---

330

---

CRSS 

Обратная передаточная емкость

---

11

---

IS 

Непрерывный источник тока VG=VD=0 В, принудительный ток

---

---

50

A

Интернет-провайдер

Импульсный источник тока

---

---

150

A

ВСД

Прямое напряжение диода VGS=0В , яS=12А, ТJ=25℃

---

---

1.3

V

trr 

Обратное время восстановления ЕСЛИ=25А,dI/dt=100А/мкс,ТJ=25℃

---

62

---

nS

Qrr 

Обратный сбор за возмещение

---

135

---

nC

 


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам