WSD60N10GDN56 N-канальный 100 В 60 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продукты

WSD60N10GDN56 N-канальный 100 В 60 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Краткое описание:

Номер части:WSD60N10GDN56

БВДСС:100В

ИДЕНТИФИКАТОР:60А

РДСОН:8,5 мОм

Канал:N-канал

Упаковка:DFN5X6-8


Информация о продукте

Приложение

Теги продукта

Обзор продукта WINSOK MOSFET

Напряжение МОП-транзистора WSD60N10GDN56 составляет 100 В, ток 60 А, сопротивление 8,5 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.

Области применения WINSOK MOSFET

Электронные сигареты MOSFET, беспроводная зарядка MOSFET, двигатели MOSFET, дроны MOSFET, MOSFET для медицинской помощи, автомобильные зарядные устройства MOSFET, контроллеры MOSFET, цифровые продукты MOSFET, мелкая бытовая техника MOSFET, бытовая электроника MOSFET.

Области применения MOSFETWINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,IR MOSFET BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET TPH6R3ANL,TPH МОП-транзистор 8R8ANH.PANJIT PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semiconductor МОП-транзистор PDC92X.

Параметры МОП-транзистора

Символ

Параметр

Рейтинг

Единицы

ВДС

Напряжение сток-исток

100

V

ВГС

Напряжение затвор-исток

±20

V

ID@TC=25℃

Непрерывный ток стока

60

A

ВПЛ

Импульсный ток стока

210

A

ЭАС

Лавинная энергия, одиночный импульс

100

mJ

PD@TC=25℃

Общая рассеиваемая мощность

125

Вт

ТСГ

Диапазон температур хранения

от -55 до 150

TJ 

Диапазон температур рабочего перехода

от -55 до 150

 

Символ

Параметр

Условия

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

BVДСС 

Напряжение пробоя сток-исток VGS=0В , яD= 250 мкА

100

---

---

V

  Статическое сопротивление включения источника стока ВГС=10В,ИД=10А.

---

8,5

10. 0

мОм

РДС(ВКЛ)

ВГС=4,5В,ИД=10А.

---

9,5

12. 0

мОм

ВГС(й)

Пороговое напряжение затвора VGS=VDS, яD= 250 мкА

1.0

---

2,5

V

ИДСС

Ток утечки сток-исток VDS=80В , ВGS=0В , ТJ=25℃

---

---

1

uA

ИГСС

Ток утечки затвор-исток VGS=±20В , ВDS=0 В

---

---

±100

nA

Qg 

Общий заряд затвора (10 В) VDS=50В , ВGS=10В , яD=25А

---

49,9

---

nC

Qgs 

Заряд ворота-источника

---

6,5

---

Qgd 

Заряд ворота-стока

---

12.4

---

Время ожидания (вкл.)

Время задержки включения VDD=50В , ВGS= 10 В ,RG=2,2 Ом, яD=25А

---

20,6

---

ns

Tr 

Время нарастания

---

5

---

Время ожидания (выкл.)

Время задержки выключения

---

51,8

---

Tf 

Время осени

---

9

---

Cэто 

Входная емкость VDS=50В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

2604

---

pF

Косс

Выходная емкость

---

362

---

CRSS 

Обратная передаточная емкость

---

6,5

---

IS 

Непрерывный источник тока VG=VD=0 В, принудительный ток

---

---

60

A

Интернет-провайдер

Импульсный источник тока

---

---

210

A

ВСД

Прямое напряжение диода VGS=0В , яS=12А, ТJ=25℃

---

---

1.3

V

trr 

Обратное время восстановления ЕСЛИ=12А,dI/dt=100А/мкс,ТJ=25℃

---

60,4

---

nS

Qrr 

Обратный сбор за возмещение

---

106,1

---

nC


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам