WSD6070DN56 N-канальный 60 В 80 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продукты

WSD6070DN56 N-канальный 60 В 80 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Краткое описание:

Номер части:WSD6070DN56

БВДСС:60В

ИДЕНТИФИКАТОР:80А

РДСОН:7,3 мОм 

Канал:N-канал

Упаковка:DFN5X6-8


Информация о продукте

Приложение

Теги продукта

Обзор продукта WINSOK MOSFET

Напряжение МОП-транзистора WSD6070DN56 составляет 60 В, ток 80 А, сопротивление 7,3 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.

Области применения WINSOK MOSFET

Электронные сигареты MOSFET, беспроводная зарядка MOSFET, двигатели MOSFET, дроны MOSFET, MOSFET для медицинской помощи, автомобильные зарядные устройства MOSFET, контроллеры MOSFET, цифровые продукты MOSFET, мелкая бытовая техника MOSFET, бытовая электроника MOSFET.

WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.

Полупроводниковый МОП-транзистор POTENS PDC696X.

Параметры МОП-транзистора

Символ

Параметр

Рейтинг

Единицы

ВДС

Напряжение сток-исток

60

V

ВГС

Гейт-Суrнапряжение CE

±20

V

TJ

Максимальная температура перехода

150

°С

ID

Диапазон температур хранения

от -55 до 150

°С

IS

Непрерывный прямой ток диода, ТC=25°С

80

A

ID

Непрерывный ток стока, ВGS=10В,ТC=25°С

80

A

Непрерывный ток стока, ВGS=10В,ТC=100°С

66

A

ИДМ

Импульсный ток стока, ТC=25°С

300

A

PD

Максимальная рассеиваемая мощность, ТC=25°С

150

W

Максимальная рассеиваемая мощность, ТC=100°С

75

W

RθJA

Термическое сопротивление перехода к окружающей среде, t = 10 с ̀

50

°С/Вт

Термическое сопротивление перехода к окружающей среде, устойчивое состояние

62,5

°С/Вт

RqJC

Термическое сопротивление соединения с корпусом

1

°С/Вт

МСФО

Лавинный ток, одиночный импульс, L=0,5 мГн

30

A

EAS

Лавинная энергия, одиночный импульс, L=0,5 мГн

225

mJ

 

Символ

Параметр

Условия

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

BVДСС

Напряжение пробоя сток-исток VGS=0В , яD= 250 мкА

60

---

---

V

БВДСС/△TJ

BVДССТемпературный коэффициент Ссылка на 25, яD= 1 мА

---

0,043

---

V/

РДС(ВКЛ)

Статическое сопротивление включения источника стока2 ВГС=10В , яD=40А

---

7.0

9,0

mΩ

ВГС(й)

Пороговое напряжение затвора VGS=VDS, яD= 250 мкА

2.0

3.0

4.0

V

ВГС(й)

VОШ(й)Температурный коэффициент

---

-6,94

---

мВ/

ИДСС

Ток утечки сток-исток VDS=48В , ВGS=0В , ТJ=25

---

---

2

uA

VDS=48В , ВGS=0В , ТJ=55

---

---

10

ИГСС

Ток утечки затвор-исток VGS=±20В, ВDS=0 В

---

---

±100

nA

подружки

Прямая крутизна VDS=5В , яD=20А

---

50

---

S

Rg

Сопротивление ворот VDS=0В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

1.0

---

Ω

Qg

Общий заряд затвора (10 В) VDS=30В , ВGS=10В , яD=40А

---

48

---

nC

Qgs

Заряд ворота-источника

---

17

---

Qgd

Заряд ворота-стока

---

12

---

Время ожидания (вкл.)

Время задержки включения VDD=30В , ВОБЩ=10 В , РG=1Ω, яD=1А,RL=15Ом.

---

16

---

ns

Tr

Время нарастания

---

10

---

Время ожидания (выкл.)

Время задержки выключения

---

40

---

Tf

Время осени

---

35

---

Cэто

Входная емкость VDS=30В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

2680

---

pF

Косс

Выходная емкость

---

386

---

CRSS

Обратная передаточная емкость

---

160

---


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам