WSD6060DN56 N-канальный 60 В 65 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Обзор продукта WINSOK MOSFET
Напряжение МОП-транзистора WSD6060DN56 составляет 60 В, ток 65 А, сопротивление 7,5 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.
Области применения WINSOK MOSFET
Электронные сигареты MOSFET, беспроводная зарядка MOSFET, двигатели MOSFET, дроны MOSFET, MOSFET для медицинской помощи, автомобильные зарядные устройства MOSFET, контроллеры MOSFET, цифровые продукты MOSFET, мелкая бытовая техника MOSFET, бытовая электроника MOSFET.
WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Полупроводниковый МОП-транзистор PDC696X.
Параметры МОП-транзистора
| Символ | Параметр | Рейтинг | Единица | |
| Общие рейтинги | ||||
| ВДСС | Напряжение сток-исток | 60 | V | |
| ВГСС | Напряжение затвор-исток | ±20 | V | |
| TJ | Максимальная температура перехода | 150 | °С | |
| ТСГ | Диапазон температур хранения | от -55 до 150 | °С | |
| IS | Непрерывный прямой ток диода | Tc=25°С | 30 | A |
| ID | Непрерывный ток стока | Tc=25°С | 65 | A |
| Tc=70°С | 42 | |||
| я DM б | Импульсный ток стока протестирован | Tc=25°С | 250 | A |
| PD | Максимальная рассеиваемая мощность | Tc=25°С | 62,5 | W |
| TC=70°С | 38 | |||
| RqJL | Термическое сопротивление-переход со свинцом | Устойчивое состояние | 2.1 | °С/Вт |
| RqJA | Термическое сопротивление перехода к окружающей среде | t £ 10 с | 45 | °С/Вт |
| Устойчивое состояниеb | 50 | |||
| Я КАК d | Лавинный ток, одиночный импульс | L=0,5 мГн | 18 | A |
| Э АС д | Лавинная энергия, одиночный импульс | L=0,5 мГн | 81 | mJ |
| Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единица | |
| Статические характеристики | |||||||
| BVДСС | Напряжение пробоя сток-исток | VGS=0В, яDS=250mA | 60 | - | - | V | |
| ИДСС | Нулевое напряжение затвора Ток стока | VDS=48В, ВGS=0 В | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85°С | - | - | 30 | ||||
| ВГС(й) | Пороговое напряжение затвора | VDS=VGS, яDS=250mA | 1.2 | 1,5 | 2,5 | V | |
| ИГСС | Ток утечки затвора | VGS=±20В, ВDS=0 В | - | - | ±100 | nA | |
| Р ДС(ВКЛ) 3 | Сопротивление во включенном состоянии стока-источника | VGS=10В, яDS=20А | - | 7,5 | 10 | m W | |
| VGS=4,5 В, яDS=15 А | - | 10 | 15 | ||||
| Характеристики диода | |||||||
| В СД | Прямое напряжение диода | ISD=1А, ВGS=0 В | - | 0,75 | 1.2 | V | |
| trr | Обратное время восстановления | ISD=20А, длSD /dt=100 А/мкс | - | 42 | - | ns | |
| Qrr | Обратный сбор за возмещение | - | 36 | - | nC | ||
| Динамические характеристики3,4 | |||||||
| RG | Сопротивление ворот | VGS=0В,ВDS=0В,Ф=1МГц | - | 1,5 | - | W | |
| Cэто | Входная емкость | VGS=0 В, VDS=30В, F=1,0 МГц Ом | - | 1340 | - | pF | |
| CОСС | Выходная емкость | - | 270 | - | |||
| CRSS | Обратная передаточная емкость | - | 40 | - | |||
| тд(ВКЛ) | Время задержки включения | ВДД=30В, ИДС=1А, ВГЕН=10В, RG=6Ом. | - | 15 | - | ns | |
| tr | Время нарастания включения | - | 6 | - | |||
| тд( ВЫКЛ) | Время задержки выключения | - | 33 | - | |||
| tf | Время выключения | - | 30 | - | |||
| Характеристики заряда ворот 3,4 | |||||||
| Qg | Общая плата за ворота | VDS=30В, VGS=4,5 В, яDS=20А | - | 13 | - | nC | |
| Qg | Общая плата за ворота | VDS=30В, ВGS=10 В, IDS=20А | - | 27 | - | ||
| Qгтх | Пороговый заряд ворот | - | 4.1 | - | |||
| Qgs | Заряд ворота-источника | - | 5 | - | |||
| Qgd | Заряд ворота-стока | - | 4.2 | - | |||
