WSD6040DN56 N-канальный 60 В 36 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Обзор продукта WINSOK MOSFET
Напряжение МОП-транзистора WSD6040DN56 составляет 60 В, ток 36 А, сопротивление 14 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.
Области применения WINSOK MOSFET
Электронные сигареты MOSFET, беспроводная зарядка MOSFET, двигатели MOSFET, дроны MOSFET, MOSFET для медицинской помощи, автомобильные зарядные устройства MOSFET, контроллеры MOSFET, цифровые продукты MOSFET, мелкая бытовая техника MOSFET, бытовая электроника MOSFET.
WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Полупроводниковый МОП-транзистор PDC6964X.
Параметры МОП-транзистора
| Символ | Параметр | Рейтинг | Единицы | ||
| ВДС | Напряжение сток-исток | 60 | V | ||
| ВГС | Напряжение затвор-исток | ±20 | V | ||
| ID | Непрерывный ток стока | ТК=25°С | 36 | A | |
| ТК=100°С | 22 | ||||
| ID | Непрерывный ток стока | ТА=25°С | 8.4 | A | |
| ТА=100°С | 6,8 | ||||
| ИДМa | Импульсный ток стока | ТК=25°С | 140 | A | |
| PD | Максимальная рассеиваемая мощность | ТК=25°С | 37,8 | W | |
| ТК=100°С | 15.1 | ||||
| PD | Максимальная рассеиваемая мощность | ТА=25°С | 2.08 | W | |
| ТА=70°С | 1.33 | ||||
| IAS c | Лавинный ток, одиночный импульс | L=0,5 мГн | 16 | A | |
| ЭАСc | Одноимпульсная лавинная энергия | L=0,5 мГн | 64 | mJ | |
| IS | Непрерывный прямой ток диода | ТК=25°С | 18 | A | |
| TJ | Максимальная температура перехода | 150 | ℃ | ||
| ТСТГ | Диапазон температур хранения | от -55 до 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Термическое сопротивление перехода к окружающей среде | Устойчивое состояние | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Термическое сопротивление соединения с корпусом | Устойчивое состояние | 3.3 | ℃/W | |
| Символ | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единица | |
| Статический | |||||||
| В(БР)ДСС | Напряжение пробоя сток-исток | VGS = 0 В, ID = 250 мкА | 60 | V | |||
| ИДСС | Нулевое напряжение затвора Ток стока | ВДС = 48 В, ВГС = 0 В | 1 | мкА | |||
| TJ=85°С | 30 | ||||||
| ИГСС | Ток утечки затвора | VGS = ±20 В, VDS = 0 В | ±100 | nA | |||
| О характеристиках | |||||||
| ВГС(ТД) | Пороговое напряжение затвора | VGS = VDS, IDS = 250 мкА | 1 | 1,6 | 2,5 | V | |
| РДС(вкл.)d | Сопротивление во включенном состоянии стока-источника | ВГС = 10 В, ID = 25 А | 14 | 17,5 | мОм | ||
| VGS = 4,5 В, ID = 20 А | 19 | 22 | мОм | ||||
| Переключение | |||||||
| Qg | Общая плата за ворота | ВДС=30В ВГС=10В ID=25А | 42 | nC | |||
| вопросы | Ворота-кислый заряд | 6.4 | nC | ||||
| Кгд | Заряд ворота-стока | 9,6 | nC | ||||
| ТД (вкл.) | Время задержки включения | ВГЕН=10В ВДД=30В ID=1А РГ=6Ом РЛ=30 Ом | 17 | ns | |||
| tr | Время нарастания включения | 9 | ns | ||||
| время (выкл.) | Время задержки выключения | 58 | ns | ||||
| tf | Время выключения | 14 | ns | ||||
| Rg | Гат сопротивление | VGS=0В, VDS=0В, f=1МГц | 1,5 | Ом | |||
| Динамический | |||||||
| Сисс | В емкости | ВГС=0В VDS=30В f=1МГц | 2100 | pF | |||
| Косс | Выходная емкость | 140 | pF | ||||
| Кресс | Обратная передаточная емкость | 100 | pF | ||||
| Характеристики диода сток-исток и максимальные номиналы | |||||||
| IS | Непрерывный источник тока | VG=VD=0В, принудительный ток | 18 | A | |||
| ИСМ | Импульсный источник тока3 | 35 | A | ||||
| ВСДd | Прямое напряжение диода | ИСД = 20А, ВГС=0В | 0,8 | 1.3 | V | ||
| трр | Обратное время восстановления | ISD=25А, длSD/dt=100 А/мкс | 27 | ns | |||
| Крр | Обратный сбор за возмещение | 33 | nC | ||||
