WSD45N10GDN56 N-канальный 100 В 45 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Обзор продукта WINSOK MOSFET
Напряжение МОП-транзистора WSD45N10GDN56 составляет 100 В, ток 45 А, сопротивление 14,5 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.
Области применения WINSOK MOSFET
Электронные сигареты MOSFET, беспроводная зарядка MOSFET, двигатели MOSFET, дроны MOSFET, MOSFET для медицинской помощи, автомобильные зарядные устройства MOSFET, контроллеры MOSFET, цифровые продукты MOSFET, мелкая бытовая техника MOSFET, бытовая электроника MOSFET.
WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.
МОП-транзистор AOS AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Полупроводниковый МОП-транзистор PDC966X.
Параметры МОП-транзистора
| Символ | Параметр | Рейтинг | Единицы |
| ВДС | Напряжение сток-исток | 100 | V |
| ВГС | Гейт-Суrнапряжение CE | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В | 9,6 | A |
| ИДМа | Импульсный ток стока | 130 | A |
| ЕАСб | Одноимпульсная лавинная энергия | 169 | mJ |
| МСФОб | Лавинное течение | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Общая рассеиваемая мощность | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Общая рассеиваемая мощность | 5.0 | W |
| ТСГ | Диапазон температур хранения | от -55 до 150 | ℃ |
| TJ | Диапазон температур рабочего перехода | от -55 до 150 | ℃ |
| Символ | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единица |
| BVДСС | Напряжение пробоя сток-исток | VGS=0В , яD= 250 мкА | 100 | --- | --- | V |
| △БВДСС/△TJ | Температурный коэффициент BVDSS | Ссылка на 25℃, яD= 1 мА | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| РДС(ВКЛ)d | Статическое сопротивление включения источника стока2 | VGS=10В , яD=26А | --- | 14,5 | 17,5 | mΩ |
| ВГС(й) | Пороговое напряжение затвора | VGS=VDS, яD= 250 мкА | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VОШ(й) | VОШ(й)Температурный коэффициент | --- | -5 | мВ/℃ | ||
| ИДСС | Ток утечки сток-исток | VDS=80В , ВGS=0В , ТJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80В , ВGS=0В , ТJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| ИГСС | Ток утечки затвор-исток | VGS=±20В, ВDS=0 В | --- | - | ±100 | nA |
| Рге | Сопротивление ворот | VDS=0В , ВGS=0 В, f=1 МГц | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Кге | Общий заряд затвора (10 В) | VDS=50В , ВGS=10В , яD=26А | --- | 42 | 59 | nC |
| Кгсе | Заряд ворота-источника | --- | 12 | -- | ||
| Кгде | Заряд ворота-стока | --- | 12 | --- | ||
| Время ожидания (вкл.)e | Время задержки включения | VDD=30В , ВОБЩ=10 В , РG=6Ω ID=1А,RL=30Ом | --- | 19 | 35 | ns |
| Тре | Время нарастания | --- | 9 | 17 | ||
| Время ожидания (выкл.)e | Время задержки выключения | --- | 36 | 65 | ||
| Тфе | Время осени | --- | 22 | 40 | ||
| Сиссе | Входная емкость | VDS=30В , ВGS=0 В, f=1 МГц | --- | 1800 г. | --- | pF |
| Коссе | Выходная емкость | --- | 215 | --- | ||
| Крсс | Обратная передаточная емкость | --- | 42 | --- |
