WSD45N10GDN56 N-канальный 100 В 45 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продукты

WSD45N10GDN56 N-канальный 100 В 45 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

краткое описание:

Номер детали:WSD45N10GDN56

БВДСС:100 В

ИДЕНТИФИКАТОР:45А

РДСОН:14,5 мОм

Канал:N-канал

Упаковка:DFN5X6-8


Детали продукта

Приложение

Теги продукта

Обзор продукта WINSOK MOSFET

Напряжение МОП-транзистора WSD45N10GDN56 составляет 100 В, ток 45 А, сопротивление 14,5 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.

Области применения WINSOK MOSFET

Электронные сигареты MOSFET, беспроводная зарядка MOSFET, двигатели MOSFET, дроны MOSFET, MOSFET для медицинской помощи, автомобильные зарядные устройства MOSFET, контроллеры MOSFET, цифровые продукты MOSFET, мелкая бытовая техника MOSFET, бытовая электроника MOSFET.

WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.

МОП-транзистор AOS AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Полупроводниковый МОП-транзистор PDC966X.

Параметры МОП-транзистора

Символ

Параметр

Рейтинг

Единицы

ВДС

Напряжение сток-исток

100

V

ВГС

Гейт-Суrнапряжение CE

±20

V

ID@TC=25

Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В

45

A

ID@TC=100

Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В

33

A

ID@TA=25

Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В

12

A

ID@TA=70

Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В

9,6

A

ИДМа

Импульсный ток стока

130

A

ЕАСб

Одноимпульсная лавинная энергия

169

mJ

МСФОб

Лавинное течение

26

A

PD@TC=25

Общая рассеиваемая мощность

95

W

PD@TA=25

Общая рассеиваемая мощность

5.0

W

ТСТГ

Диапазон температур хранения

от -55 до 150

TJ

Диапазон температур рабочего перехода

от -55 до 150

 

Символ

Параметр

Условия

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

BVДСС

Напряжение пробоя сток-исток VGS=0В , яD= 250 мкА

100

---

---

V

БВДСС/△TJ

Температурный коэффициент BVDSS Ссылка на 25, яD= 1 мА

---

0,0

---

V/

РДС(ВКЛ)d

Статическое сопротивление включения источника стока2 VGS=10В , яD=26А

---

14,5

17,5

mΩ

ВГС(й)

Пороговое напряжение затвора VGS=VDS, яD= 250 мкА

2.0

3.0

4.0

V

VОШ(ты)

VОШ(ты)Температурный коэффициент

---

-5   мВ/

ИДСС

Ток утечки сток-исток VDS=80В , ВGS=0В , ТJ=25

---

- 1

uA

VDS=80В , ВGS=0В , ТJ=55

---

- 30

ИГСС

Ток утечки затвор-исток VGS=±20В, ВDS=0 В

---

- ±100

nA

Рге

Сопротивление ворот VDS=0В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

1.0

---

Ω

Кге

Общий заряд затвора (10 В) VDS=50В , ВGS=10В , яD=26А

---

42

59

nC

Кгсе

Заряд ворота-источника

---

12

--

Кгде

Заряд ворота-стока

---

12

---

Время ожидания (вкл.)e

Время задержки включения VDD=30В , ВОБЩ=10 В , РG=6Ω

ID=1А,RL=30Ом

---

19

35

ns

Тре

Время подъема

---

9

17

Время ожидания (выкл.)e

Время задержки выключения

---

36

65

Тфе

Время осени

---

22

40

Сиссе

Входная емкость VDS=30В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

1800 г.

---

pF

Коссе

Выходная емкость

---

215

---

Крсс

Обратная передаточная емкость

---

42

---


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам