WSD40200DN56G N-канальный 40 В 180 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продукты

WSD40200DN56G N-канальный 40 В 180 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

краткое описание:

Номер детали:WSD40200DN56G

БВДСС:40В

ИДЕНТИФИКАТОР:180А

РДСОН:1,15 мОм 

Канал:N-канал

Упаковка:DFN5X6-8


Детали продукта

Приложение

Теги продукта

Обзор продукта WINSOK MOSFET

Напряжение МОП-транзистора WSD40120DN56G составляет 40 В, ток 120 А, сопротивление 1,4 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.

Области применения WINSOK MOSFET

Электронные сигареты MOSFET, беспроводная зарядка MOSFET, дроны MOSFET, медицинская помощь MOSFET, автомобильные зарядные устройства MOSFET, контроллеры MOSFET, цифровые продукты MOSFET, мелкая бытовая техника MOSFET, бытовая электроника MOSFET.

WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Полупроводниковый МОП-транзистор PDC496X.

Параметры МОП-транзистора

Символ

Параметр

Рейтинг

Единицы

ВДС

Напряжение сток-исток

40

V

ВГС

Гейт-Суrнапряжение CE

±20

V

ID@TC=25

Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В1

120

A

ID@TC=100

Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В1

82

A

ИДМ

Импульсный ток стока2

400

A

ЭАС

Одноимпульсная лавинная энергия3

400

mJ

МСФО

Лавинное течение

40

A

PD@TC=25

Общая рассеиваемая мощность4

125

W

ТСТГ

Диапазон температур хранения

от -55 до 150

TJ

Диапазон температур рабочего перехода

от -55 до 150

 

Символ

Параметр

Условия

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

BVДСС

Напряжение пробоя сток-исток VGS=0В , яD= 250 мкА

40

---

---

V

БВДСС/△TJ

BVДССТемпературный коэффициент Ссылка на 25, яD= 1 мА

---

0,043

---

V/

РДС(ВКЛ)

Статическое сопротивление включения источника стока2 ВГС=10В , яD=20А

---

1,4

1,8

mΩ

РДС(ВКЛ)

Статическое сопротивление включения источника стока2 ВГС=4,5 В, яD=20А

---

2.0

2.6

мОм

ВГС(й)

Пороговое напряжение затвора VGS=VDS, яD= 250 мкА

1.2

1,6

2.2

V

VОШ(ты)

VОШ(ты)Температурный коэффициент

---

-6,94

---

мВ/

ИДСС

Ток утечки сток-исток VDS=32В , ВGS=0В , ТJ=25

---

---

1

uA

VDS=32В , ВGS=0В , ТJ=55

---

---

5

ИГСС

Ток утечки затвор-исток VGS=±20В, ВDS=0 В

---

---

±100

nA

подружки

Прямая крутизна VDS=5В , яD=20А

---

53

---

S

Rg

Сопротивление ворот VDS=0В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

1.0

---

Ω

Qg

Общий заряд затвора (10 В) VDS=15В , ВGS=10В , яD=20А

---

45

---

nC

Qgs

Заряд ворота-источника

---

12

---

Qgd

Заряд ворота-стока

---

18,5

---

Время ожидания (вкл.)

Время задержки включения VDD=15В , ВОБЩ=10 В , РG=3,3Ω, яD=20А,RL=15Ом.

---

18,5

---

ns

Tr

Время подъема

---

9

---

Время ожидания (выкл.)

Время задержки выключения

---

58,5

---

Tf

Время осени

---

32

---

Cэто

Входная емкость VDS=20В , ВGS=0 В, f=1 МГц --- 3972 ---

pF

Косс

Выходная емкость

---

1119 ---

CRSS

Обратная передаточная емкость

---

82

---

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам