WSD30L88DN56 Двойной P-канал -30В -49А DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Общее описание
WSD30L88DN56 — это самый высокопроизводительный траншейный MOSFET Dual P-Ch с чрезвычайно высокой плотностью ячеек, который обеспечивает превосходный RDSON и заряд затвора для большинства приложений синхронных понижающих преобразователей. WSD30L88DN56 соответствует требованиям RoHS и экологичности продукции, 100% гарантия EAS и одобренная полная функциональная надежность.
Функции
Усовершенствованная технология Trench с высокой плотностью ячеек ,Сверхнизкий заряд ворот ,Отличное снижение эффекта CdV/dt ,100% гарантия EAS ,Доступно экологически чистое устройство.
Приложения
Высокочастотная синхронная точка нагрузки, понижающий преобразователь для MB/NB/UMPC/VGA, сетевая система питания постоянного тока, переключатель нагрузки, электронные сигареты, беспроводная зарядка, двигатели, дроны, медицинская помощь, автомобильные зарядные устройства, контроллеры, цифровые устройства продукты, мелкая бытовая техника, бытовая электроника.
соответствующий номер материала
АОС
Важные параметры
Символ | Параметр | Рейтинг | Единицы |
ВДС | Напряжение сток-исток | -30 | V |
ВГС | Напряжение затвор-исток | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Непрерывный ток стока, VGS при -10 В1 | -49 | A |
ID@TC=100℃ | Непрерывный ток стока, VGS при -10 В1 | -23 | A |
ИДМ | Импульсный ток стока2 | -120 | A |
ЭАС | Одноимпульсная лавинная энергия3 | 68 | mJ |
ПД@ТС=25℃ | Общая рассеиваемая мощность4 | 40 | W |
ТСТГ | Диапазон температур хранения | от -55 до 150 | ℃ |
TJ | Диапазон температур рабочего перехода | от -55 до 150 | ℃ |