WSD30150ADN56 N-канальный 30 В 145 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продукты

WSD30150ADN56 N-канальный 30 В 145 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Краткое описание:

Номер части:WSD30150ADN56

БВДСС:30 В

ИДЕНТИФИКАТОР:145А

РДСОН:2,2 мОм 

Канал:N-канал

Упаковка:DFN5X6-8


Информация о продукте

Приложение

Теги продукта

Обзор продукта WINSOK MOSFET

Напряжение МОП-транзистора WSD30150DN56 составляет 30 В, ток 150 А, сопротивление 1,8 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.

Области применения WINSOK MOSFET

E-сигареты MOSFET, беспроводная зарядка MOSFET, дроны MOSFET, медицинская помощь MOSFET, автомобильные зарядные устройства MOSFET, контроллеры MOSFET, цифровые продукты MOSFET, мелкая бытовая техника MOSFET, бытовая электроника MOSFET.

WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.

МОП-транзистор AOS AON6512,AONS3234.

Онсеми, FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.

МОП-транзистор NXP PSMN1R7-3YL.

МОП-транзистор TOSHIBA TPH1R43NL.

МОП-транзистор PANJIT PJQ5428.

НИКО-СЭМ МОП-транзистор PKC26BB, PKE24BB.

Полупроводниковый МОП-транзистор POTENS PDC392X.

Параметры МОП-транзистора

Символ

Параметр

Рейтинг

Единицы

ВДС

Напряжение сток-исток

30

V

ВГС

Гейт-Суrнапряжение CE

±20

V

ID@TC=25

Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В1,7

150

A

ID@TC=100

Непрерывный ток стока, ВGS@ 10 В1,7

83

A

ИДМ

Импульсный ток стока2

200

A

ЭАС

Одноимпульсная лавинная энергия3

125

mJ

МСФО

Лавинное течение

50

A

PD@TC=25

Общая рассеиваемая мощность4

62,5

W

ТСГ

Диапазон температур хранения

от -55 до 150

TJ

Диапазон температур рабочего перехода

от -55 до 150

 

Символ

Параметр

Условия

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

BVДСС

Напряжение пробоя сток-исток VGS=0В , яD= 250 мкА

30

---

---

V

БВДСС/△TJ

BVДССТемпературный коэффициент Ссылка на 25, яD= 1 мА

---

0,02

---

V/

РДС(ВКЛ)

Статическое сопротивление включения источника стока2 VGS=10В , яD=20А

---

1,8

2.4 mΩ
VGS=4,5 В , яD=15А  

2.4

3.2

ВГС(й)

Пороговое напряжение затвора VGS=VDS, яD= 250 мкА

1,4

1,7

2,5

V

VОШ(й)

VОШ(й)Температурный коэффициент

---

-6,1

---

мВ/

ИДСС

Ток утечки сток-исток VDS=24В , ВGS=0В , ТJ=25

---

---

1

uA

VDS=24В , ВGS=0В , ТJ=55

---

---

5

ИГСС

Ток утечки затвор-исток VGS=±20В, ВDS=0 В

---

---

±100

nA

подружки

Прямая крутизна VDS=5В , яD=10А

---

27

---

S

Rg

Сопротивление ворот VDS=0В , ВGS=0 В, f=1 МГц

---

0,8

1,5

Ω

Qg

Общий заряд затвора (4,5 В) VDS=15В , ВGS=4,5 В , яD=30А

---

26

---

nC

Qgs

Заряд ворота-источника

---

9,5

---

Qgd

Заряд ворота-стока

---

11.4

---

Время ожидания (вкл.)

Время задержки включения VDD=15В , ВОБЩ=10 В , РG=6Ω, яD=1А, RL=15Ом.

---

20

---

ns

Tr

Время нарастания

---

12

---

Время ожидания (выкл.)

Время задержки выключения

---

69

---

Tf

Время осени

---

29

---

Cэто

Входная емкость VDS=15В , ВGS=0 В, f=1 МГц 2560 3200

3850

pF

Косс

Выходная емкость

560

680

800

CRSS

Обратная передаточная емкость

260

320

420


  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам