WSD30140DN56 N-канальный 30 В 85 А DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Краткое описание:

Номер модели:WSD30140DN56

БВДСС:30 В

РДСОН:1,7 мОм

ИДЕНТИФИКАТОР:85А

Канал:N-канал

Упаковка:ДФН5*6-8

Краткое описание продукта:Напряжение МОП-транзистора WSD30140DN56 составляет 30 В, ток 85 А, сопротивление 1,7 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5*6-8.

Приложения:Электронные сигареты, беспроводные зарядные устройства, дроны, медицинская помощь, автомобильные зарядные устройства, контроллеры, цифровые продукты, мелкая бытовая техника, бытовая электроника и т. д.

Отправьте нам электронное письмо PDF

Информация о продукте

Приложение

Теги продукта

Общее описание

WSD30140DN56 — это траншейный N-канальный МОП-транзистор с высочайшими характеристиками и очень высокой плотностью ячеек, обеспечивающий превосходный RDSON и заряд затвора для большинства приложений синхронных понижающих преобразователей.WSD30140DN56 соответствует требованиям RoHS и экологичности продукции, 100% гарантия EAS, одобрена полная функциональная надежность.

Функции

Усовершенствованная технология Trench с высокой плотностью ячеек, сверхнизкий заряд затвора, превосходное ослабление эффекта CdV/dt, 100% гарантия EAS, доступны экологически чистые устройства

Приложения

Высокочастотная синхронизация точки нагрузки, понижающие преобразователи, сетевые системы питания постоянного тока, электроинструменты, электронные сигареты, беспроводная зарядка, дроны, медицинская помощь, зарядка автомобилей, контроллеры, цифровые продукты, мелкая бытовая техника, бытовая электроника

соответствующий номер материала

АО АОН6312, АОН6358, АОН6360, АОН6734, АОН6792, АОНС36314.НА NTMFS4847N.ВИШАЙ SiRA62DP.СТ STL86N3LLH6AG.ИНФИНЕОН BSC050N03MSG.ТИ CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXP PH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.РОМ RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.ПАНДЖИТ PJQ5410.АП AP3D5R0MT.НИКО ПК610СА, ПК510БА.ПОТЕНСЫ PDC3803R

Важные параметры

Символ	Параметр	Рейтинг	Единицы
ВДС	Напряжение сток-исток	30	V
ВГС	Напряжение затвор-исток	±20	V
ID@TC=25℃	Непрерывный ток стока, ВГС при 10 В1,7	85	A
ID@TC=70℃	Непрерывный ток стока, ВГС при 10 В1,7	65	A
ИДМ	Импульсный ток стока2	300	A
ПД@ТС=25℃	Общая рассеиваемая мощность4	50	W
ТСГ	Диапазон температур хранения	от -55 до 150	℃
TJ	Диапазон температур рабочего перехода	от -55 до 150	℃

Символ	Параметр	Условия	Мин.	Тип.	Макс.	Единица
БВДСС	Напряжение пробоя сток-исток	ВГС=0В, ID=250мкА	30	---	---	V
△БВДСС/△ТДЖ	Температурный коэффициент BVDSS	Ссылка на 25 ℃, ID=1 мА	---	0,02	---	В/℃
РДС(ВКЛ)	Статическое сопротивление включения источника стока2	ВГС=10В, ID=20А	---	1,7	2.4	мОм
РДС(ВКЛ)	Статическое сопротивление включения источника стока2	ВГС=4,5В, ID=15А		2,5	3.3	мОм
ВГС(й)	Пороговое напряжение затвора	ВГС=ВДС, ID=250мкА	1.2	1,7	2,5	V
	Ток утечки сток-исток	ВДС=24В, ВГС=0В, ТДж=25℃	---	---	1	uA
ИДСС	Ток утечки сток-исток	ВДС=24В, ВГС=0В, ТДЖ=55℃	---	---	5	uA
ИГСС	Ток утечки затвор-исток	ВГС=±20В, ВДС=0В	---	---	±100	nA
подружки	Прямая крутизна	ВДС=5В, ID=20А	---	90	---	S
Qg	Общий заряд затвора (4,5 В)	ВДС=15В, ВГС=4,5В, ID=20А	---	26	---	nC
вопросы	Заряд ворота-источника		---	9,5	---
Кгд	Заряд ворота-стока		---	11.4	---
Время ожидания (вкл.)	Время задержки включения	VDD=15В, VGEN=10В, RG=3Ом, RL=0,75Ом.	---	11	---	ns
Tr	Время нарастания		---	6	---
Время ожидания (выкл.)	Время задержки выключения		---	38,5	---
Tf	Время осени		---	10	---
Сисс	Входная емкость	VDS=15В, VGS=0В, f=1МГц	---	3000	---	pF
Косс	Выходная емкость		---	1280	---
Кресс	Обратная передаточная емкость		---	160	---