WSD2090DN56 N-канальный 20 В 80 А DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

краткое описание:

Номер модели:WSD2090DN56

БВДСС:20 В

РДСОН:2,8 мОм

ИДЕНТИФИКАТОР:80А

Канал:N-канал

Упаковка:ДФН5*6-8

Краткое описание продукта:Напряжение МОП-транзистора WSD2090DN56 составляет 20 В, ток 80 А, сопротивление 2,8 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5*6-8.

Приложения:Электронные сигареты, дроны, электроинструменты, фасциальные пистолеты, ПД, мелкая бытовая техника и т. д.

Отправить запрос PDF

Детали продукта

Приложение

Теги продукта

Общее описание

WSD2090DN56 — это траншейный N-Ch MOSFET транзистор с высочайшими характеристиками и чрезвычайно высокой плотностью ячеек, который обеспечивает превосходный RDSON и заряд затвора для большинства приложений синхронных понижающих преобразователей. WSD2090DN56 соответствует требованиям RoHS и экологичности продукции, имеет 100% гарантию EAS и одобренную полную функциональную надежность.

Функции

Усовершенствованная технология Trench с высокой плотностью ячеек, сверхнизкий заряд затвора, отличное снижение эффекта CdV / dt, 100% гарантия EAS, доступно экологически чистое устройство

Приложения

Выключатель, система питания, выключатель нагрузки, электронные сигареты, дроны, электроинструменты, фасциальные пистолеты, ПД, мелкая бытовая техника и т. д.

соответствующий номер материала

АОС АОН6572

Важные параметры

Абсолютные максимальные значения (TC=25℃, если не указано иное)

Символ	Параметр	Макс.	Единицы
ВДСС	Напряжение сток-исток	20	V
ВГСС	Напряжение затвор-исток	±12	V
ID@TC=25℃	Непрерывный ток стока, VGS при 10 В1	80	A
ID@TC=100℃	Непрерывный ток стока, VGS при 10 В1	59	A
ИДМ	Импульсный ток стока Примечание1	360	A
ЭАС	Одиночная импульсная лавинная энергия note2	110	mJ
PD	Рассеяние мощности	81	W
РθJA	Термическое сопротивление, соединение с корпусом	65	℃/Вт
RθJC	Термическое сопротивление соединения, корпус 1	4	℃/Вт
Ти Джей, ТСГ	Диапазон температур эксплуатации и хранения	от -55 до +175	℃

Электрические характеристики (TJ=25 ℃, если не указано иное)

Символ	Параметр	Условия	Мин	Введите	Макс	Единицы
БВДСС	Напряжение пробоя сток-исток	VGS=0В, ID=250мкА	20	24	---	V
△БВДСС/△ТДЖ	Температурный коэффициент BVDSS	Ссылка на 25 ℃, ID=1 мА	---	0,018	---	В/℃
ВГС(й)	Пороговое напряжение затвора	VDS= VGS, ID=250мкА	0,50	0,65	1.0	V
РДС(ВКЛ)	Статическое сопротивление включения источника стока	ВГС=4,5В, ID=30А	---	2,8	4.0	мОм
РДС(ВКЛ)	Статическое сопротивление включения источника стока	ВГС=2,5В, ID=20А	---	4.0	6.0	мОм
ИДСС	Нулевое напряжение затвора Ток стока	ВДС=20В,ВГС=0В	---	---	1	мкА
ИГСС	Ток утечки затвора	ВГС=±10В, ВДС=0В	---	---	±100	nA
Сисс	Входная емкость	ВДС=10В,ВГС=0В,ф=1МГц	---	3200	---	pF
Косс	Выходная емкость		---	460	---
Кресс	Обратная передаточная емкость		---	446	---
Qg	Общая плата за ворота	ВГС=4,5В,ВДС=10В,ИД=30А	---	11.05	---	nC
вопросы	Заряд ворота-источника		---	1,73	---
Кгд	Заряд ворота-стока		---	3.1	---
тД(вкл.)	Время задержки включения	VGS=4,5 В, VDS=10 В, ID=30ARGEN=1,8 Ом	---	9,7	---	ns
tr	Время нарастания включения		---	37	---
тД(выкл.)	Время задержки выключения		---	63	---
tf	Время выключения		---	52	---
ВСД	Прямое напряжение диода	IS = 7,6 А, ВГС = 0 В	---	---	1.2	V