WSD100N06GDN56 N-канальный 60 В 100 А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Обзор продукта WINSOK MOSFET
Напряжение МОП-транзистора WSD100N06GDN56 составляет 60 В, ток 100 А, сопротивление 3 мОм, канал N-канальный, корпус DFN5X6-8.
Области применения WINSOK MOSFET
Медицинские источники питания MOSFET, PD MOSFET, MOSFET для дронов, MOSFET для электронных сигарет, MOSFET для крупной бытовой техники и MOSFET для электроинструментов.
WINSOK MOSFET соответствует номерам материалов других марок.
МОП-транзистор AOS AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Полупроводниковый МОП-транзистор PDC692X.
Параметры МОП-транзистора
| Символ | Параметр | Рейтинг | Единицы | ||
| ВДС | Напряжение сток-исток | 60 | V | ||
| ВГС | Напряжение затвор-исток | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Непрерывный ток стока | ТК=25°С | 100 | A | |
| ТК=100°С | 65 | ||||
| ИДМ2 | Импульсный ток стока | ТК=25°С | 240 | A | |
| PD | Максимальная рассеиваемая мощность | ТК=25°С | 83 | W | |
| ТК=100°С | 50 | ||||
| МСФО | Лавинный ток, одиночный импульс | 45 | A | ||
| ЭАС3 | Одноимпульсная лавинная энергия | 101 | mJ | ||
| TJ | Максимальная температура перехода | 150 | ℃ | ||
| ТСГ | Диапазон температур хранения | от -55 до 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Термическое сопротивление перехода к окружающей среде | Устойчивое состояние | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Термическое сопротивление соединения с корпусом | Устойчивое состояние | 1,5 | ℃/W | |
| Символ | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Единица | |
| Статический | |||||||
| В(БР)ДСС | Напряжение пробоя сток-исток | VGS = 0 В, ID = 250 мкА | 60 | V | |||
| ИДСС | Нулевое напряжение затвора Ток стока | ВДС = 48 В, ВГС = 0 В | 1 | мкА | |||
| TJ=85°С | 30 | ||||||
| ИГСС | Ток утечки затвора | ВГС = ±20 В, ВДС = 0 В | ±100 | nA | |||
| О характеристиках | |||||||
| ВГС(ТД) | Пороговое напряжение затвора | VGS = VDS, IDS = 250 мкА | 1.2 | 1,8 | 2,5 | V | |
| РДС(вкл.)2 | Сопротивление во включенном состоянии стока-источника | ВГС = 10 В, ID = 20 А | 3.0 | 3.6 | мОм | ||
| VGS = 4,5 В, ID = 15 А | 4.4 | 5.4 | мОм | ||||
| Переключение | |||||||
| Qg | Общая плата за ворота | ВДС=30В ВГС=10В ID=20А | 58 | nC | |||
| вопросы | Ворота-кислый заряд | 16 | nC | ||||
| Кгд | Заряд ворота-стока | 4.0 | nC | ||||
| ТД (вкл.) | Время задержки включения | ВГЕН=10В ВДД=30В ID=20А РГ=Ом | 18 | ns | |||
| tr | Время нарастания включения | 8 | ns | ||||
| td(выкл.) | Время задержки выключения | 50 | ns | ||||
| tf | Время выключения | 11 | ns | ||||
| Rg | Гат сопротивление | VGS=0В, VDS=0В, f=1МГц | 0,7 | Ом | |||
| Динамический | |||||||
| Сисс | В емкости | ВГС=0В VDS=30В f=1МГц | 3458 | pF | |||
| Косс | Выходная емкость | 1522 | pF | ||||
| Кресс | Обратная передаточная емкость | 22 | pF | ||||
| Характеристики диода сток-исток и максимальные номиналы | |||||||
| ИС1,5 | Непрерывный источник тока | VG=VD=0В, принудительный ток | 55 | A | |||
| ИСМ | Импульсный источник тока3 | 240 | A | ||||
| ВСД2 | Прямое напряжение диода | ИСД = 1А, ВГС=0В | 0,8 | 1.3 | V | ||
| трр | Обратное время восстановления | ISD=20А, длSD/dt=100 А/мкс | 27 | ns | |||
| Крр | Обратный сбор за возмещение | 33 | nC | ||||
