-
Олукей: Давайте поговорим о роли MOSFET в базовой архитектуре быстрой зарядки
Базовая структура источника питания быстрой зарядки QC использует обратноходовой + вторичный (вторичный) синхронный выпрямительный SSR. Для обратноходовых преобразователей по методу выборки обратной связи его можно разделить на: первичную сторону (первичную... -
Как много вы знаете о параметрах MOSFET? OLUKEY анализирует это для вас
«МОП-транзистор» — это аббревиатура металлооксидного полупроводникового полевого транзистора. Это устройство, изготовленное из трёх материалов: металла, оксида (SiO2 или SiN) и полупроводника. МОП-транзистор — одно из самых простых устройств в области полупроводников. ... -
Как выбрать МОП-транзистор?
В последнее время, когда многие клиенты приходят в Olukey за консультацией по МОП-транзисторам, они задают вопрос, как выбрать подходящий МОП-транзистор? Что касается этого вопроса, Олукей ответит на него каждому. Прежде всего, нам нужно понять принцип... -
Принцип работы режима улучшения N-канала MOSFET
(1) Влияние vGS на управление ID и каналом. ① Случай vGS=0. Можно видеть, что между стоком d и истоком s полевого МОП-транзистора расширенного режима имеется два встречных PN-перехода. Когда напряжение затвор-исток vGS=0, даже если... -
Взаимосвязь между корпусом MOSFET и параметрами, как выбрать полевой транзистор с подходящим корпусом
①Вставная упаковка: ТО-3П, ТО-247, ТО-220, ТО-220Ф, ТО-251, ТО-92; ②Тип поверхностного монтажа: ТО-263, ТО-252, СОП-8, СОТ-23, DFN5*6, DFN3*3; Различные формы упаковки, соответствующий предельный ток, напряжение и эффект рассеивания тепла MO... -
Что означают три контакта G, S и D корпусного МОП-транзистора?
Это корпусной пироэлектрический инфракрасный датчик MOSFET. Прямоугольная рамка представляет собой сенсорное окно. Вывод G является клеммой заземления, вывод D — внутренним стоком МОП-транзистора, а вывод S — внутренним истоком МОП-транзистора. В цепи... -
Важность силовых МОП-транзисторов при разработке и проектировании материнских плат
Прежде всего, очень важно расположение разъема процессора. Должно быть достаточно места для установки вентилятора процессора. Если он расположен слишком близко к краю материнской платы, в некоторых случаях будет сложно установить радиатор ЦП. -
Коротко расскажу о способе производства мощного устройства отвода тепла MOSFET.
Конкретный план: мощное устройство отвода тепла MOSFET, включая полый корпус и печатную плату. Печатная плата расположена в корпусе. Несколько расположенных рядом МОП-транзисторов подключены к обоим концам схемы... -
Пакет FET DFN2X2 с одним P-каналом 20–40 В, расположение модели_WINSOK MOSFET
Пакет WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, одиночный P-канальный полевой транзистор, модели с напряжением 20–40 В суммированы следующим образом: 1. Модель: WSD8823DN22 с одним P-каналом -20 В -3,4 А, внутреннее сопротивление 60 мОм Соответствующие модели: AOS: AON2403 ON Полупроводник: FDM ... -
Подробное объяснение принципа работы МОП-транзистора большой мощности.
Мощные МОП-транзисторы (полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник) играют важную роль в современной электронной технике. Это устройство стало незаменимым компонентом силовой электроники и приложений большой мощности благодаря... -
Поймите принцип работы MOSFET и более эффективно применяйте электронные компоненты.
Понимание принципов работы МОП-транзисторов (полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник) имеет решающее значение для эффективного использования этих высокоэффективных электронных компонентов. МОП-транзисторы являются незаменимыми элементами в электронной... -
Понимание MOSFET в одной статье
Силовые полупроводниковые приборы широко используются в промышленности, потреблении, военной и других областях и занимают высокое стратегическое положение. Давайте посмотрим на общую картину силовых устройств по картинке:...