-
Распознавание полевых МОП-транзисторов с изолированным слоем
Тип затвора изоляционного слоя МОП-транзистор, также известный как МОП-транзистор (далее именуемый МОП-транзистор), который имеет кабельную оболочку из диоксида кремния в середине напряжения затвора и стока истока. MOSFET также имеет две категории N-канала и P-канала, но каждая категория разделена на...Читать далее -
Как определить, хороший или плохой МОП-транзистор?
Есть два способа отличить хороший и плохой МОП-транзистор: Первый: качественно определить преимущества и недостатки МОП-транзисторов. Сначала используйте блок мультиметра R × 10 кОм (встроенная аккумуляторная батарея 9 В или 15 В), подключите отрицательный стержень (черный). ...Читать далее -
Идеи по решению проблемы серьезного тепловыделения МОП-транзисторов
Я не знаю, нашли ли вы проблему, MOSFET действует как импульсное оборудование питания во время работы, иногда серьезно нагревается, хотите решить проблему с нагревом MOSFET, сначала нам нужно определить причины, поэтому нам нужно проверить, чтобы чтобы узнать где пр...Читать далее -
Роль МОП-транзисторов в схемах
МОП-транзисторы играют роль в переключении схем, заключаются в управлении включением и выключением схемы и преобразовании сигналов. МОП-транзисторы можно разделить на две категории: N-канальные и P-канальные. В схеме N-канального МОП-транзистора на выводе BEEP высокий уровень сигнала, что обеспечивает срабатывание зуммера, и низкий уровень...Читать далее -
Взгляните на МОП-транзисторы.
МОП-транзисторы являются изолирующими МОП-транзисторами в интегральных схемах. МОП-транзисторы, как одно из самых основных устройств в области полупроводников, широко используются в схемах на уровне плат, а также в конструкции ИС. Сток и исток МОП-транзисторов могут быть интегрированы...Читать далее -
Базовая идентификация и тестирование MOSFET-транзисторов
1. Идентификация контактов MOSFET-транзистора. Затвор MOSFET является базой транзистора, а сток и исток — коллектором и эмиттером соответствующего транзистора. Мультиметр для передачи R × 1k, с двумя ручками для измерения прямого и обратного сопротивления ...Читать далее -
Причины и предотвращение отказа MOSFET
Две основные причины отказа MOSFET: Сбой напряжения: то есть напряжение BVdss между стоком и истоком превышает номинальное напряжение MOSFET и достигает определенной емкости, что приводит к выходу MOSFET из строя. Сбой напряжения на воротах: на воротах наблюдается аномальное напряжение...Читать далее -
Что я могу сделать, чтобы починить мой МОП-транзистор, который сильно нагревается?
В цепях электропитания или в цепях электропитания в области двигательной техники неизбежно используются МОП-транзисторы, которые бывают разных типов и имеют множество функций. Для переключения источников питания или силовых установок естественно использовать функцию переключения. Независимо от типа N или...Читать далее -
Характеристики проводимости МОП-транзистора
Проводимость MOSFET означает, что он используется в качестве переключателя, что эквивалентно замыканию переключателя. NMOS характеризуется как проводящий, когда Vgs превышает ограниченное значение, которое применяется к состоянию, когда источник подключен к заземленному устройству, и требуется только затвор. том...Читать далее -
Рабочие характеристики МОП-транзистора
Фактически, судя по названию, силовой МОП-транзистор может работать снова, когда выходной ток больше, классификация МОП-транзисторов разделена на множество видов, которые по характеристикам потребляемой мощности можно разделить на улучшенные и обедненные типы, если ...Читать далее -
Анализ причин неэффективности MOSFET
На данном этапе применения в отрасли первое место занимает применение адаптеров для устройств бытовой электроники. Второе место занимают компьютерные материнские платы, компьютерные адаптеры, ЖК-мониторы и другие товары. Третье место занимает сеть связи...Читать далее -
Анализ параметров и измерение МОП-транзисторов
Существует много видов основных параметров MOSFET, которые содержат параметры постоянного тока, параметры переменного тока и предельные параметры, но для общего применения необходимо учитывать только следующие основные параметры: состояние насыщения тока утечки источника IDSS, напряжение защемления. .Читать далее
