-
Анализ улучшения и истощения МОП-транзисторов
D-FET находится в смещении 0 затвора, когда наличие канала может проводить полевой транзистор; E-FET находится в смещении 0 затвора, когда нет канала, не может проводить полевой транзистор. эти два типа полевых транзисторов имеют свои особенности и способы применения. В общем, улучшенный полевой транзистор в высокоскоростных маломощных... -
Рекомендации по выбору корпуса MOSFET
Во-вторых, размер системных ограничений. Некоторые электронные системы ограничены размером печатной платы и внутренней высотой, например, системы связи, модульные источники питания из-за ограничений по высоте обычно используют пакет DFN5 * 6, DFN3 * 3; в некоторых источниках питания ACDC... -
Метод изготовления схемы управления MOSFET высокой мощности
Существует два основных решения: первое — использовать специальный драйвер для управления полевым МОП-транзистором или использовать быстродействующие фотопары. Транзисторы составляют схему для управления полевым МОП-транзистором, но первый тип подхода требует наличия независимого источника питания; другой... -
Анализ важных причин тепловыделения МОП-транзисторов
Тип N, принцип работы MOSFET типа P по сути один и тот же, MOSFET в основном добавляется к входной стороне напряжения затвора для успешного управления выходной стороной тока стока, MOSFET - это устройство, управляемое напряжением, через добавленное напряжение. к воротам, чтобы... -
Как определить, что мощный МОП-транзистор сгорел через прогар
(1) МОП-транзистор — это элемент, управляющий напряжением, а транзистор — элемент, управляющий током. При отсутствии возможности управления, ток возбуждения очень мал, следует выбрать МОП-транзистор; а в сигнале напряжение низкое, а ток обещали брать побольше от... -
Приборные панели электромобилей склонны к поломкам, возможно, это как-то связано с качеством используемых МОП-транзисторов.
На данном этапе на рынке уже давно появляется все больше и больше электромобилей, его экологические особенности признаны, и существует тенденция развития заменителей дизельного топлива, мобильность, электромобили также похожи на другие средства мобильности, инстр... -
Как предотвратить выход из строя MOSFET
На данном этапе уровня применения в отрасли первое место занимают товары-адаптеры для устройств бытовой электроники. И в соответствии с основным использованием MOSFET-транзистора, спрос на MOSFET занимает второе место - это материнская плата компьютера, NB, профессиональный адаптер питания компьютера, ЖК-дисплей ... -
Зарядку литиевого аккумулятора легко повредить, WINSOK MOSFET вам в помощь!
Литий как новый тип экологически чистых аккумуляторов уже давно постепенно применяется в аккумуляторных автомобилях. Неизвестно из-за характеристик литий-железо-фосфатных аккумуляторов, при использовании необходимо проводить процесс зарядки аккумулятора для проведения технического обслуживания до... -
Защита источника затвора MOSFET
Сам по себе МОП-транзистор имеет много преимуществ, но в то же время МОП-транзистор имеет более чувствительную кратковременную перегрузочную способность, особенно в сценариях высокочастотных приложений, поэтому при использовании силовых МОП-транзисторов необходимо разработать эффективную схему защиты для повышения устойчивости. .. -
Схема защиты от перегрузки по току MOSFET, позволяющая избежать аварий с перегоранием источника питания
Источник питания как компоненты распределения электронного оборудования, помимо характеристик, которые следует учитывать в оборудовании системы электропитания, также очень важны его собственные защитные меры, такие как перегрузка по току, перенапряжение, перегрев... -
Как выбрать наиболее подходящую схему драйвера для MOSFET?
В программе проектирования силового переключателя и других систем электропитания разработчики программ будут уделять больше внимания ряду основных параметров MOSFET, таких как двухпозиционный резистор, большее рабочее напряжение, больший поток мощности. Хотя этот элемент имеет решающее значение, принимая во внимание... -
Требования к схеме драйвера MOSFET
К современным МОП-драйверам предъявляется несколько необычных требований: 1. Приложение низкого напряжения. При применении импульсного источника питания 5 В в это время используется традиционная структура тотемного полюса, поскольку на триоде потери вверх и вниз составляют всего 0,7 В, что приводит к ...