Технология быстрой зарядки, являющаяся основной частью современного электронного оборудования, быстро развивается и развивается.Под влиянием рынка быстрой зарядки такие отрасли, как смартфоны и электромобили, все чаще требуют быстрых и эффективных решений для зарядки.Инновации в технологии быстрой зарядки направлены не только на повышение скорости зарядки, но и на безопасность.В будущем технология быстрой зарядки будет сочетаться с беспроводной зарядкой и более эффективной технологией аккумуляторов, чтобы добиться качественного скачка и предоставить пользователям более удобный и экологически чистый процесс зарядки.Ожидается, что с развитием технологий и расширением рынка индустрия быстрой зарядки продолжит быстро расти.
Когда мы говорим о примененииМОП-транзистору технологии быстрой зарядки на самом деле есть несколько головных болей.
Прежде всего, поскольку для быстрой зарядки требуется большой ток,МОП-транзисторбудет очень сильно нагреваться, и как с этим жаром бороться, становится большой проблемой.Кроме того, существуют проблемы с эффективностью.При быстром переключении МОП-транзистор легко теряет часть своей энергии, что влияет на эффективность зарядки.Кроме того, оборудование для быстрой зарядки должно быть как можно меньшим, но для этого требуется, чтобы МОП-транзистор был небольшим, а также решал проблему перегрева.Поскольку МОП-транзистор быстро переключается, он может создавать помехи для другого электронного оборудования, что также является проблемой.Наконец, среда быстрой зарядки предъявляет высокие требования к выдерживаемому напряжению и току МОП-транзисторов, что является проверкой их производительности.Работа в такой среде в течение длительного времени также может повлиять на срок их службы и надежность.Короче говоря, хотя MOSFET имеет решающее значение для быстрой зарядки, он сталкивается со многими проблемами.
ВИНСОКMOSFET может помочь вам решить вышеуказанные проблемы.Основными моделями применения WINSOK MOSFET для быстрой зарядки являются:
| Номер части | Конфигурация | Тип | ВДС | Идентификатор (А) | ВГС(th)(v) | RDS(ВКЛ)(мОм) | Сисс | Упаковка | |||
| @10 В | |||||||||||
| (В) | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | (пф) | ||||
| Одинокий | Н-Ч | 30 | 50 | 1,5 | 1,8 | 2,5 | 6.7 | 8,5 | 1200 | ДФН3Х3-8 | |
| Одинокий | П-Ч | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2,3 | 11 | 14 | 1380 | ДФН3Х3-8 | |
| Одинокий | Н-Ч | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | СОП-8 | |
| Одинокий | Н-Ч | 100 | 16 | 1,4 | 1,7 | 2,5 | 8,9 | 11 | 4000 | СОП-8 | |
| Одинокий | П-Ч | -30 | -8,2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 год | СОП-8 | |
| Одинокий | П-Ч | -30 | -13 | -1,2 | -2 | -2,5 | 9,6 | 15 | 1550 г. | СОП-8 | |
| Н+П | Н-Ч | 30 | 7 | 1 | 1,5 | 2,5 | 18 | 28 | 550 | СОП-8 | |
| П-Ч | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Одинокий | Н-Ч | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | ТО-220 | |
Другие номера брендовых материалов, соответствующие вышеуказанным WINSOK MOSFET:
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSD3050DN: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9R8. -30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- СЭМ PE5G6EA.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSD30L40DN: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP6020: AOS AO4262E, AO4264E, AO4268.Onsemi, FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP16N10: AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4435: AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,AO4807,AO4813.Onsemi,FAIRCHILD FDS4465BZ,FDS6685.VISHAY Si 4431CDY.ST Микроэлектроника STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4407: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOS HIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4606: AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901CSK.NIKO -SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. ДИНТЕК ЭЛЕКТРОНИКС DTM4606, DTM4606BD, DTM4606BDY.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSR80N10: AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G, IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5-100PS. TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Время публикации: 28 ноября 2023 г.
