Технология быстрой зарядки, являющаяся основной частью современного электронного оборудования, быстро развивается и развивается. Под влиянием рынка быстрой зарядки такие отрасли, как смартфоны и электромобили, все чаще требуют быстрых и эффективных решений для зарядки. Инновации в технологии быстрой зарядки направлены не только на повышение скорости зарядки, но и на безопасность. В будущем технология быстрой зарядки будет сочетаться с беспроводной зарядкой и более эффективной технологией аккумуляторов, чтобы добиться качественного скачка и предоставить пользователям более удобный и экологически чистый опыт зарядки. Ожидается, что с развитием технологий и расширением рынка индустрия быстрой зарядки продолжит быстро расти.
Когда мы говорим о примененииМОП-транзистору технологии быстрой зарядки на самом деле есть несколько головных болей.
Прежде всего, поскольку для быстрой зарядки требуется большой ток,МОП-транзисторбудет очень сильно нагреваться, и как с этим жаром бороться, становится большой проблемой. Кроме того, существуют проблемы с эффективностью. При быстром переключении МОП-транзистор легко теряет часть своей энергии, что влияет на эффективность зарядки. Кроме того, оборудование для быстрой зарядки должно быть как можно меньшим, но для этого требуется, чтобы МОП-транзистор был небольшим, а также решал проблему перегрева. Поскольку МОП-транзистор быстро переключается, он может создавать помехи для другого электронного оборудования, что также является проблемой. Наконец, среда быстрой зарядки предъявляет высокие требования к выдерживаемому напряжению и току МОП-транзисторов, что является проверкой их производительности. Работа в такой среде в течение длительного времени также может повлиять на срок их службы и надежность. Короче говоря, хотя MOSFET имеет решающее значение для быстрой зарядки, он сталкивается со многими проблемами.
ВИНСОКMOSFET может помочь вам решить вышеуказанные проблемы. Основными моделями применения WINSOK MOSFET для быстрой зарядки являются:
| Номер детали | Конфигурация | Тип | ВДС | Идентификатор (А) | ВГС(th)(v) | RDS(ВКЛ)(мОм) | Сисс | Упаковка | |||
| @10 В | |||||||||||
| (В) | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | (пф) | ||||
| Одинокий | Н-Ч | 30 | 50 | 1,5 | 1,8 | 2,5 | 6.7 | 8,5 | 1200 | ДФН3Х3-8 | |
| Одинокий | П-Ч | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2,3 | 11 | 14 | 1380 | ДФН3Х3-8 | |
| Одинокий | Н-Ч | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | СОП-8 | |
| Одинокий | Н-Ч | 100 | 16 | 1,4 | 1,7 | 2,5 | 8,9 | 11 | 4000 | СОП-8 | |
| Одинокий | П-Ч | -30 | -8,2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 год | СОП-8 | |
| Одинокий | П-Ч | -30 | -13 | -1,2 | -2 | -2,5 | 9,6 | 15 | 1550 г. | СОП-8 | |
| Н+П | Н-Ч | 30 | 7 | 1 | 1,5 | 2,5 | 18 | 28 | 550 | СОП-8 | |
| П-Ч | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Одинокий | Н-Ч | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | ТО-220 | |
Другие номера брендовых материалов, соответствующие вышеуказанным WINSOK MOSFET:
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSD3050DN: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian 8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- СЭМ PE5G6EA.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSD30L40DN: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP6020: AOS AO4262E, AO4264E, AO4268.Onsemi, FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP16N10: AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4435: AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,AO4807,AO4813.Onsemi,FAIRCHILD FDS4465BZ,FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Микроэлектроника STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4407: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TO SHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4606: AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901CSK.NI KO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. ДИНТЕК ЭЛЕКТРОНИКС DTM4606, DTM4606BD, DTM4606BDY.
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSR80N10: AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G, IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5-100PS. .TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Время публикации: 28 ноября 2023 г.
