МОП-транзисторы среднего и низкого напряжения WINSOK используются в мобильных источниках питания.

Приложение

МОП-транзисторы среднего и низкого напряжения WINSOK используются в мобильных источниках питания.

Портативные аккумуляторы (также известные как портативные зарядные устройства) широко используются для различных электронных устройств.Ожидается, что благодаря достижениям в области аккумуляторных технологий будущие блоки питания будут легче, будут иметь большую емкость и обеспечивать более высокую скорость зарядки.Интеллектуальные функции и многофункциональность также станут ключевыми областями развития для удовлетворения растущего спроса на мобильные энергетические решения.

МОП-транзисторы среднего и низкого напряжения WINSOK используются в мобильных источниках питания.

МОП-транзисторы в портативных блоках питания (портативных зарядных устройствах) сталкиваются с проблемами эффективности и долговечности.Ключевые проблемы включают потери мощности, недостаточное управление теплом и проблемы с надежностью при высоких нагрузках, которые ограничивают производительность и срок службы блоков питания.ВИНСОКMOSFET может помочь вам решить вышеуказанные проблемы.

Применение MOSFET среднего и низкого напряжения WINSOK в мобильных источниках питания, основные модели применения:

Номер части

Конфигурация

Тип

ВДС

Идентификатор (А)

ВГС(th)(v)

RDS(ВКЛ)(мОм)

Сисс

Упаковка

@10 В

(В)

Макс.

Мин.

Тип.

Макс.

Тип.

Макс.

(пф)

WST3400S

Одинокий

Н-Ч

30

5,6

0,5

0,8

1

-

-

525

СОТ-23Н

WST2316

Одинокий

Н-Ч

20

5,9

0,3

0,5

1.2

-

-

395

СОТ-23-3Л

WST3408

Одинокий

Н-Ч

30

5,5

1

1,4

2

26

32

391

СОТ-23-3Л

WST2339

Одинокий

П-Ч

-20

-7,1

-0,5

-0,5

-1

-

-

2000 г.

СОТ-23-3Л

WST3409

Одинокий

П-Ч

-30

-5,1

-0,7

-1

-1,3

-

43

826

СОТ-23-3Л

WSD30L120DN56

Одинокий

П-Ч

-30

-120

-1,2

-1,5

-2,5

2,9

3.6

6100

DFN5X6-8

WSP4406

Одинокий

Н-Ч

30

12

1.2

1,9

2,5

9,5

12

770

СОП-8

WSP9926

Двойной+ESD

Н-Ч

20

7.2

0,5

0,7

1.2

-

-

615

СОП-8

WSP9926A

Двойной+ESD

Н-Ч

20

7,5

0,5

0,7

1.1

-

-

620

СОП-8

WSP4435

Одинокий

П-Ч

-30

-8,2

-1,5

-2

-2,5

16

20

2050 год

СОП-8

WSP4407

Одинокий

П-Ч

-30

-13

-1,2

-2

-2,5

9,6

15

1550 г.

СОП-8

WSP4953A

Двойной

П-Ч

-20

-5,8

-0,6

-1,1

-1,7

40

65

625

СОП-8

WSP4606

Н+П

Н-Ч

30

7

1

1,5

2,5

18

28

550

СОП-8

П-Ч

-30

-6

-1

-1,5

-2,5

30

38

645

WSF70P03

Одинокий

П-Ч

-30

-65

-1

-1,6

-2,5

7,5

9,5

3448

ТО-252

Другие номера брендовых материалов, соответствующие вышеуказанным WINSOK MOSFET:
Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WST3400S: AOS AO3400,AO3400A,AO3404.VISHAY Si2374DS.TOSHIBA SSM3K345R.Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8,ZXMC3A18DN8,DMC3032LSD,DMC3016LSD.Sinopower SM2314NSA.Potens Semi. проводник ПДН3643.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WST2316: AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WST3408: AOS AO3404,AO3404A,AO3406,AO3454,AO3456.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si2336DS.STMicroelectronics STR2N2VH5.Nxperian PMV25ENEA.TOSHIBA SSM3K333R. ,SSM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WST2339: AOS AO3413,AO3415A,AO3415A,AO3419,AO3423,AO3435,AO3493,AO3495,AO3499,AO21115C.VISHAY Si2399DS.TOSHIBA SSM3J355R.Sinopower SM2335PSA.Potens Semicon дроссель ПДН2309С.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WST3409: AOS AO3401,AO3401A,AO3453,AO3459.VISHAY Si2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.Sinopower SM2315PSA.NIKO-SEM P5103EMG.Potens Semiconductor PDN2309S.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSD30L120DN56: AOS AON6403, AON6407, AON6411. PANJIT PJQ5427. Potens Semiconductor PDC3901X.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4406: AOS AO4406A,AO4306,AO4404B,AO4466,AO4566.Onsemi,FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS11NF30L.INFINEON,IR BSO110N03MS G.TOSHIBA TP89R. 103NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP9926: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911. VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS3808.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP9926A: AOS AO9926B,AO9926C.Onsemi,FAIRCHILD FDS6890A,FDS6892A,FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON,IR BSO330N02K G.Sinopower SM9926DSK.Potens Semiconductor PDS3810.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4435: AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,AO4807,AO4813.Onsemi,FAIRCHILD FDS4465BZ,FDS6685.VISHAY Si 4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4407: AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOS HIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4953A: AOS AO4801, AO4801A, AO4803, AO4803A.Onsemi,FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPF20L.TOSHIBA TPC8129.ROHM QH8JA1.PANJIT PJL9801. .APEC AP2P028EM,AP4413GM.Diodes Incorporated ZXMP3A16N8.NIKO- СЭМ PV521BA.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSP4606: AOS AO4606, AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Онсеми,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor P ДС3710.

Соответствующие номера материалов WINSOK MOSFET WSF70P03: AOS AOD21357,AOD403,AOD423.Onsemi,FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics STD37P3H6AG,STD40P3LLH6.TOSHIBA TJ60S04M3L.PANJIT PJD70P. 03.APEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconductor ПДД3959.


Время публикации: 24 ноября 2023 г.